STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 3 A 400 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, SuperMESH
- RS-varenummer:
- 151-930
- Producentens varenummer:
- STD5NK40ZT4
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 bånd af 20 enheder)*
Kr. 166,44
(ekskl. moms)
Kr. 208,04
(inkl. moms)
Tilføj 80 enheder for at opnå gratis levering
På lager
- Plus 2.420 enhed(er) afsendes fra 17. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | Kr. 8,322 | Kr. 166,44 |
| 200 - 480 | Kr. 7,899 | Kr. 157,98 |
| 500 - 980 | Kr. 7,323 | Kr. 146,46 |
| 1000 - 1980 | Kr. 6,732 | Kr. 134,64 |
| 2000 + | Kr. 6,489 | Kr. 129,78 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 151-930
- Producentens varenummer:
- STD5NK40ZT4
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 400V | |
| Serie | SuperMESH | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.8Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | ±30 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 11.7nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 10.1mm | |
| Højde | 2.4mm | |
| Bredde | 6.6 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 400V | ||
Serie SuperMESH | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.8Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. ±30 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 11.7nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 10.1mm | ||
Højde 2.4mm | ||
Bredde 6.6 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics Power MOSFET er udviklet med Super MESH-teknologi, opnået gennem optimering af et veletableret strimmelbaseret Power MESH-layout. Ud over en betydelig reduktion af modstand er denne enhed designet til at sikre et højt niveau af dv/dt-kapacitet til de mest krævende anvendelser.
100% lavine testet
Gate-opladning minimeres
Meget lav intern kapacitet
Zenerbeskyttet
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 3 A 400 V Forbedring TO-252, SuperMESH
- STMicroelectronics Type N-Kanal 3 A 800 V Forbedring TO-252, SuperMESH
- STMicroelectronics Type N-Kanal 85 A 1000 V Forbedring TO-252, SuperMESH
- STMicroelectronics Type N-Kanal 4 A 600 V Forbedring TO-252, SuperMESH
- STMicroelectronics Type N-Kanal 2.4 A 600 V Forbedring TO-252, SuperMESH
- STMicroelectronics Type N-Kanal 4.4 A 500 V Forbedring TO-252, SuperMESH
- STMicroelectronics Type N-Kanal 1 A 800 V Forbedring TO-252, SuperMESH
- STMicroelectronics Type N-Kanal 2 A 600 V Forbedring TO-252, SuperMESH