STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 11 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, MDmesh II Nej STD13NM60N
- RS-varenummer:
- 151-952
- Producentens varenummer:
- STD13NM60N
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 bånd af 5 enheder)*
Kr. 92,45
(ekskl. moms)
Kr. 115,55
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 2.260 enhed(er) afsendes fra 19. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 18,49 | Kr. 92,45 |
| 50 - 95 | Kr. 17,564 | Kr. 87,82 |
| 100 - 495 | Kr. 16,246 | Kr. 81,23 |
| 500 - 995 | Kr. 14,974 | Kr. 74,87 |
| 1000 + | Kr. 14,452 | Kr. 72,26 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 151-952
- Producentens varenummer:
- STD13NM60N
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 11A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | MDmesh II | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.36Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 27nC | |
| Portkildespænding maks. | 25 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bredde | 6.6 mm | |
| Højde | 2.4mm | |
| Længde | 10.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 11A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie MDmesh II | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.36Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 27nC | ||
Portkildespænding maks. 25 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bredde 6.6 mm | ||
Højde 2.4mm | ||
Længde 10.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics Power MOSFET er udviklet ved hjælp af anden generation af MDmesh-teknologi. Denne revolutionerende Power MOSFET forbinder en vertikal struktur med virksomhedens striplayout for at give en af verdens laveste modstand og gate-ladning. Den er derfor velegnet til de mest krævende konvertere med høj effektivitet.
100% lavine testet
Lav indgangskapacitet og gate-opladning
Lav gate-indgangsmodstand
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 11 A 600 V Forbedring TO-252, MDmesh II Nej STD13NM60N
- STMicroelectronics Type N-Kanal 5 A 600 V Forbedring TO-252, MDmesh Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 11 A 710 V Forbedring TO-252, MDmesh M5 Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 5 A 600 V Forbedring TO-252, MDmesh Nej STD7NM60N
- STMicroelectronics Type N-Kanal 11 A 710 V Forbedring TO-252, MDmesh M5 Nej STD15N65M5
- STMicroelectronics Type N-Kanal 12 A 600 V Forbedring TO-252, MDmesh M2 Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 12 A 600 V Forbedring TO-252, MDmesh M2 Nej STD16N60M2
- STMicroelectronics Type N-Kanal 11 A 600 V Forbedring TO-220, MDmesh Nej