STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 11 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, MDmesh II

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 bånd af 5 enheder)*

Kr. 92,45

(ekskl. moms)

Kr. 115,55

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2.255 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr bånd*
5 - 45Kr. 18,49Kr. 92,45
50 - 95Kr. 17,564Kr. 87,82
100 - 495Kr. 16,246Kr. 81,23
500 - 995Kr. 14,974Kr. 74,87
1000 +Kr. 14,452Kr. 72,26

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
151-952
Producentens varenummer:
STD13NM60N
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

11A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

TO-252

Serie

MDmesh II

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

0.36Ω

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

27nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

25 V

Gennemgangsspænding Vf

1.5V

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

2.4mm

Længde

10.1mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bredde

6.6 mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics Power MOSFET er udviklet ved hjælp af anden generation af MDmesh-teknologi. Denne revolutionerende Power MOSFET forbinder en vertikal struktur med virksomhedens striplayout for at give en af verdens laveste modstand og gate-ladning. Den er derfor velegnet til de mest krævende konvertere med høj effektivitet.

100% lavine testet

Lav indgangskapacitet og gate-opladning

Lav gate-indgangsmodstand

Relaterede links