STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 11 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, MDmesh II
- RS-varenummer:
- 151-952
- Producentens varenummer:
- STD13NM60N
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 bånd af 5 enheder)*
Kr. 122,97
(ekskl. moms)
Kr. 153,71
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 2.250 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 24,594 | Kr. 122,97 |
| 50 - 95 | Kr. 23,352 | Kr. 116,76 |
| 100 - 495 | Kr. 21,618 | Kr. 108,09 |
| 500 - 995 | Kr. 19,912 | Kr. 99,56 |
| 1000 + | Kr. 19,224 | Kr. 96,12 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 151-952
- Producentens varenummer:
- STD13NM60N
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 11A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | MDmesh II | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.36Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 27nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 10.1mm | |
| Højde | 2.4mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 11A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie MDmesh II | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.36Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 27nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 10.1mm | ||
Højde 2.4mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics Power MOSFET er udviklet ved hjælp af anden generation af MDmesh-teknologi. Denne revolutionerende Power MOSFET forbinder en vertikal struktur med virksomhedens striplayout for at give en af verdens laveste modstand og gate-ladning. Den er derfor velegnet til de mest krævende konvertere med høj effektivitet.
100% lavine testet
Lav indgangskapacitet og gate-opladning
Lav gate-indgangsmodstand