STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 53 A 650 V Forbedring, 8 Ben, ACEPACK SMIT, MDmesh DM6 AEC
- RS-varenummer:
- 152-112
- Producentens varenummer:
- SH63N65DM6AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rulle af 200 enheder)*
Kr. 27.993,40
(ekskl. moms)
Kr. 34.991,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 200 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 200 - 200 | Kr. 139,967 | Kr. 27.993,40 |
| 400 + | Kr. 138,238 | Kr. 27.647,60 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 152-112
- Producentens varenummer:
- SH63N65DM6AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 53A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | ACEPACK SMIT | |
| Serie | MDmesh DM6 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 64mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 424W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 8nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.55V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | AQG 324 | |
| Bilindustristandarder | AEC | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 53A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype ACEPACK SMIT | ||
Serie MDmesh DM6 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 64mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 424W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.55V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser AQG 324 | ||
Bilindustristandarder AEC | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics enhed kombinerer to MOSFET'er i en halv bro topologi. ACEPACK SMIT er et meget kompakt og robust strømmodul i et overflademonteret hus for nem montering. Takket være DBC-substratet giver ACEPACK SMIT-huset lav termisk modstand kombineret med en isoleret termisk pude på toppen. Den høje designfleksibilitet i huset muliggør flere konfigurationer, herunder faseben, boost og enkeltkontakt gennem forskellige kombinationer af de interne effektkontakter.
AQG 324 kvalificeret
Halvbro-strømmodul
650 V blokeringsspænding
Kropsdiode med hurtig gendannelse
Meget lave skifteenergier
Lav husinduktivitet
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 53 A 650 V Forbedring ACEPACK SMIT, MDmesh DM6 AEC
- STMicroelectronics Type N-Kanal 64 A 650 V ACEPACK SMIT
- STMicroelectronics Type N-Kanal 32 A 650 V ACEPACK SMIT
- STMicroelectronics Type P-Kanal 9 Ben HB
- STMicroelectronics Type N-Kanal 72 A 650 V Forbedring TO-247, MDmesh DM6 AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 33 A 650 V Forbedring TO-247, DM6
- STMicroelectronics Type N-Kanal 12 A 650 V Forbedring TO-220FP, MDmesh M5
- STMicroelectronics Type N-Kanal 53 A 500 V Forbedring ISOTOP SuperMESH