STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 72 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, MDmesh DM6 AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 30 enheder)*

Kr. 2.266,62

(ekskl. moms)

Kr. 2.833,26

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 510 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
30 - 60Kr. 75,554Kr. 2.266,62
90 - 120Kr. 72,684Kr. 2.180,52
150 +Kr. 71,70Kr. 2.151,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
225-0678
Producentens varenummer:
STWA68N65DM6AG
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

72A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

TO-247

Serie

MDmesh DM6

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

39mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

118nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

25 V

Effektafsættelse maks. Pd

480W

Gennemgangsspænding Vf

1.6V

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

15.8 mm

Længde

40.92mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

5.1mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

STMicroelectronics højspændings N-kanal Power MOSFET er en del af MDmesh DM6 serien af hurtige genoprettelsesdiode. Sammenlignet med den tidligere hurtige MDmesh-generation kombinerer DMD 6 meget lav genoprettelsesladning (Qrr), restitutionstid (trr) og fremragende forbedring af RDS(on) pr. område med en af de mest effektive koblingsformer på markedet for de mest krævende højeffektive brotopologier og ZVS faseskiftkonvertere.

Diode til hus med hurtig genindvinding

Lavere RDS (til) pr. område vs. forrige generation

Lav gate-opladning, indgangskapacitet og modstand

100 % avalanche-testet

Ekstremt høj dv/dt robusthed

Zener-beskyttet

629

Relaterede links