STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 4 A 1700 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, STGAP2
- RS-varenummer:
- 152-180
- Producentens varenummer:
- STGAP2SICSNC
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 64,10
(ekskl. moms)
Kr. 80,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 1.995 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 12,82 | Kr. 64,10 |
| 50 - 95 | Kr. 12,178 | Kr. 60,89 |
| 100 - 495 | Kr. 11,28 | Kr. 56,40 |
| 500 - 995 | Kr. 10,382 | Kr. 51,91 |
| 1000 + | Kr. 9,994 | Kr. 49,97 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 152-180
- Producentens varenummer:
- STGAP2SICSNC
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1700V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Serie | STGAP2 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1GΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Portkildespænding maks. | ±30 V | |
| Driftstemperatur maks. | 125°C | |
| Længde | 5mm | |
| Bredde | 4 mm | |
| Højde | 1.75mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1700V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Serie STGAP2 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1GΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Portkildespænding maks. ±30 V | ||
Driftstemperatur maks. 125°C | ||
Længde 5mm | ||
Bredde 4 mm | ||
Højde 1.75mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- TW
STMicroelectronics enkelt gate-driver, der giver galvanisk isolation mellem gate-drivkanalen og lavspændingsstyring og interfacekredsløb. Gate-driveren er kendetegnet ved en kapacitet på 4 A og rail-to-rail-udgange, hvilket også gør enheden velegnet til applikationer med mellemhøj og høj effekt, såsom strømkonvertering og motordriverinvertere i industrielle applikationer.
Separat sink- og source-mulighed for nem konfiguration af gate-drivning
4 A Miller CLAMP dedikeret pin-mulighed
UVLO-funktion
Gate-drivningsspænding op til 26 V
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 4 A 1700 V Forbedring SO-8, STGAP2 Nej STGAP2SICSNC
- STMicroelectronics Type N-Kanal 7.5 A 60 V Forbedring SO-8 Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 7.5 A 60 V Forbedring SO-8 Nej STS7NF60L
- STMicroelectronics Dual N-Kanal 0.4 A 450 V Forbedring SO-8, SuperMESH Nej STS1DNC45
- STMicroelectronics Type N-Kanal 7 A 1700 V Forbedring Hip-247, SCT1000N170 Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 7 A 1700 V Forbedring Hip-247, SCT1000N170 Nej SCT1000N170
- Infineon Type N-Kanal 8 A 60 V Forbedring SO-8, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 8 A 60 V Forbedring SO-8, HEXFET IRF7351TRPBF
