STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 4 A 1.7 kV Forbedring, 8 Ben, SO-8, STGAP2
- RS-varenummer:
- 152-180
- Producentens varenummer:
- STGAP2SICSNC
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 144,51
(ekskl. moms)
Kr. 180,64
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 1.995 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 28,902 | Kr. 144,51 |
| 50 - 245 | Kr. 25,432 | Kr. 127,16 |
| 250 - 495 | Kr. 22,71 | Kr. 113,55 |
| 500 + | Kr. 19,508 | Kr. 97,54 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 152-180
- Producentens varenummer:
- STGAP2SICSNC
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1.7kV | |
| Serie | STGAP2 | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1GΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Driftstemperatur maks. | 125°C | |
| Højde | 1.75mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bredde | 4mm | |
| Længde | 5mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1.7kV | ||
Serie STGAP2 | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1GΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Driftstemperatur maks. 125°C | ||
Højde 1.75mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bredde 4mm | ||
Længde 5mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- TW
STMicroelectronics enkelt gate-driver, der giver galvanisk isolation mellem gate-drivkanalen og lavspændingsstyring og interfacekredsløb. Gate-driveren er kendetegnet ved en kapacitet på 4 A og rail-to-rail-udgange, hvilket også gør enheden velegnet til applikationer med mellemhøj og høj effekt, såsom strømkonvertering og motordriverinvertere i industrielle applikationer.
Separat sink- og source-mulighed for nem konfiguration af gate-drivning
4 A Miller CLAMP dedikeret pin-mulighed
UVLO-funktion
Gate-drivningsspænding op til 26 V
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 4 A 1.7 kV Forbedring SO-8, STGAP2
- STMicroelectronics N-Kanal 7 A 1.7 kV Forbedring Hip-247, SCT1000N170
- STMicroelectronics MOSFET 1.7 A SO-8
- STMicroelectronics N-Kanal 7.5 A 60 V Forbedring SO-8
- STMicroelectronics Dual N-Kanal 400 mA 450 V Forbedring SO-8, SuperMESH
- STMicroelectronics N-Kanal 10 A 30 V Forbedring SO-8, STS
- Overflade STMicroelectronics 2 kanaler per chip Operationsforstærker 8 Ben
- Wolfspeed N-Kanal 5.3 A 1.7 kV Forbedring TO-263