- RS-varenummer:
- 193-458
- Producentens varenummer:
- IXFH120N20P
- Brand:
- IXYS
16 På lager til afsendelse samme dag
Dag til dag levering ikke mulig
Tilføjet
Pris pr. stk. (Leveres Pr. stk.)
Kr. 100,68
(ekskl. moms)
Kr. 125,85
(inkl. moms)
Enheder | Pr stk. |
1 - 4 | Kr. 100,68 |
5 - 19 | Kr. 92,68 |
20 - 49 | Kr. 87,74 |
50 - 99 | Kr. 67,47 |
100 + | Kr. 64,55 |
- RS-varenummer:
- 193-458
- Producentens varenummer:
- IXFH120N20P
- Brand:
- IXYS
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ serien
N-kanal effekt-MOSFET'er med hurtig egensikker diode (HiPerFET™) fra IXYS
MOSFET-transistorer, IXYS
EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS
Egenskaber
Attribute | Value |
---|---|
Kanaltype | N |
Drain-strøm kontinuerlig maks. | 120 A |
Drain source spænding maks. | 200 V |
Serie | HiperFET, Polar |
Kapslingstype | TO-247 |
Monteringstype | Hulmontering |
Benantal | 3 |
Drain source modstand maks. | 22 mΩ |
Kanalform | Enhancement |
Maks. tærskelspænding for port | 5V |
Effektafsættelse maks. | 714000 mW |
Transistorkonfiguration | Enkelt |
Gate source spænding maks. | -20 V, +20 V |
Antal elementer per chip | 1 |
Bredde | 5.3mm |
Gate-ladning ved Vgs typisk | 152 nC ved 10 V |
Driftstemperatur maks. | +175 °C |
Længde | 16.26mm |
Transistormateriale | Si |
Driftstemperatur min. | -55 °C |
Højde | 21.46mm |
- RS-varenummer:
- 193-458
- Producentens varenummer:
- IXFH120N20P
- Brand:
- IXYS