IXYS N-Kanal, MOSFET, 66 A 500 V Forbedring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET, Polar
- RS-varenummer:
- 194-029P
- Producentens varenummer:
- IXFN80N50P
- Brand:
- IXYS
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 5 enheder (leveres i et rør)*
Kr. 1.086,45
(ekskl. moms)
Kr. 1.358,05
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 23. marts 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 5 + | Kr. 217,29 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 194-029P
- Producentens varenummer:
- IXFN80N50P
- Brand:
- IXYS
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 66A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 500V | |
| Serie | HiperFET, Polar | |
| Emballagetype | SOT-227 | |
| Monteringstype | Panelkabinet | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 65mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 700W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Portkildespænding maks. | -30V, +30V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 195nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 25.07mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 38.2mm | |
| Højde | 9.6mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 66A | ||
Drain source spænding maks. Vds 500V | ||
Serie HiperFET, Polar | ||
Emballagetype SOT-227 | ||
Monteringstype Panelkabinet | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 65mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 700W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Portkildespænding maks. -30V, +30V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 195nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 25.07mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 38.2mm | ||
Højde 9.6mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ serien
N-kanal effekt-MOSFET'er med hurtig egensikker diode (HiPerFET™) fra IXYS
MOSFET-transistorer, IXYS
EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS