STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 40 A 1200 V Forbedring, 4 Ben, Hip-247-4, SCT AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 214-957
- Producentens varenummer:
- SCT040W120G3-4
- Brand:
- STMicroelectronics
Indhold (1 rør af 30 enheder)*
Kr. 3.698,49
(ekskl. moms)
Kr. 4.623,12
(inkl. moms)
Tilføj 30 enheder for at opnå gratis levering
Midlertidigt ikke på lager
- 30 enhed(er) afsendes fra 25. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 30 + | Kr. 123,283 | Kr. 3.698,49 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-957
- Producentens varenummer:
- SCT040W120G3-4
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 40A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Emballagetype | Hip-247-4 | |
| Serie | SCT | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 40mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | -10 to 22 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 56nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 312W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1200V | |
| Driftstemperatur maks. | 200°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, ECOPACK2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 40A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Emballagetype Hip-247-4 | ||
Serie SCT | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 40mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. -10 to 22 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 56nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 312W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1200V | ||
Driftstemperatur maks. 200°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS, ECOPACK2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics siliciumkarbid Power MOSFET-enhed er udviklet ved hjælp af ST's avancerede og innovative 3. generation SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet kombineret med lave kapaciteter og meget høje koblingsfunktioner, som forbedrer anvendelsesydelse med hensyn til frekvens, energieffektivitet, systemstørrelse og vægtreduktion.
Høj hastighed ved skift
Meget hurtig og robust intrinsic body diode
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 40 A 1200 V Forbedring Hip-247-4, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 40 A 1200 V Forbedring Hip-247, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 60 A 1200 V Forbedring Hip-247, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 56 A 1200 V Forbedring Hip-247, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 40 A 1200 V Forbedring SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics 1 Type N-Kanal 4 Ben SCT
- STMicroelectronics Type N-Kanal 12 A 1200 V Udtømning Hip-247, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 16 A 1200 V Udtømning Hip-247, SCT AEC-Q101