STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 30 A 1200 V Forbedring, 7 Ben, H2PAK-7, SCT
- RS-varenummer:
- 214-961
- Producentens varenummer:
- SCT070H120G3-7
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 98,44
(ekskl. moms)
Kr. 123,05
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 1.000 enhed(er) afsendes fra 26. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 98,44 |
| 10 - 24 | Kr. 89,69 |
| 25 + | Kr. 74,80 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-961
- Producentens varenummer:
- SCT070H120G3-7
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 30A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Emballagetype | H2PAK-7 | |
| Serie | SCT | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 63mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 3V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 224W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 37nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 15.25mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 30A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Emballagetype H2PAK-7 | ||
Serie SCT | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 63mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 3V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 224W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 37nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 15.25mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics siliciumkarbid Power MOSFET-enhed er udviklet ved hjælp af ST's avancerede og innovative 3. generation SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet kombineret med lave kapaciteter og meget høje koblingsfunktioner, som forbedrer anvendelsesydelse med hensyn til frekvens, energieffektivitet, systemstørrelse og vægtreduktion.
Høj hastighed ved skift
Meget hurtig og robust intrinsic body diode
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 40 A 1200 V Forbedring H2PAK-7, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 30 A 1200 V Forbedring H2PAK-7, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics 55 A 1200 V SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 100 A 1200 V Udtømning H2PAK, SCT
- STMicroelectronics Type N-Kanal 33 A 1200 V Udtømning H2PAK-7, SCT
- STMicroelectronics N-kanal-Kanal 55 A 650 V Forbedring H2PAK-7, Sct
- STMicroelectronics Type N-Kanal 55 A 650 V Forbedring H2PAK-7, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 110 A 900 V Forbedring H2PAK-7, SCT AEC-Q101