STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 30 A 1200 V Forbedring, 7 Ben, H2PAK-7, SCT

Se alle MOSFET
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
214-961
Producentens varenummer:
SCT070H120G3-7
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

30A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Serie

SCT

Emballagetype

H2PAK-7

Monteringstype

Overflade

Benantal

7

Drain source modstand maks. Rds

63mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

224W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

37nC

Gennemgangsspænding Vf

3V

Portkildespænding maks.

22V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Længde

15.25mm

Bredde

10.4mm

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics siliciumkarbid Power MOSFET-enhed er udviklet ved hjælp af ST's avancerede og innovative 3. generation SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet kombineret med lave kapaciteter og meget høje koblingsfunktioner, som forbedrer anvendelsesydelse med hensyn til frekvens, energieffektivitet, systemstørrelse og vægtreduktion.

Høj hastighed ved skift

Meget hurtig og robust intrinsic body diode

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.