STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 30 A 1200 V Forbedring, 7 Ben, H2PAK-7, SCT

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 83,03

(ekskl. moms)

Kr. 103,79

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 1.000 enhed(er) afsendes fra 27. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 83,03
10 - 99Kr. 74,65
100 +Kr. 68,97

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
214-961
Producentens varenummer:
SCT070H120G3-7
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

30A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Emballagetype

H2PAK-7

Serie

SCT

Monteringstype

Overflade

Benantal

7

Drain source modstand maks. Rds

63mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

3V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

224W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

37nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

15.25mm

Standarder/godkendelser

RoHS

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics siliciumkarbid Power MOSFET-enhed er udviklet ved hjælp af ST's avancerede og innovative 3. generation SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet kombineret med lave kapaciteter og meget høje koblingsfunktioner, som forbedrer anvendelsesydelse med hensyn til frekvens, energieffektivitet, systemstørrelse og vægtreduktion.

Høj hastighed ved skift

Meget hurtig og robust intrinsic body diode

Relaterede links