STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 56 A 1200 V Forbedring, 3 Ben, Hip-247, SCT AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 215-071
- Producentens varenummer:
- SCT025W120G3AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Indhold (1 rør af 30 enheder)*
Kr. 3.798,03
(ekskl. moms)
Kr. 4.747,53
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 30 enhed(er) afsendes fra 21. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 30 + | Kr. 126,601 | Kr. 3.798,03 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 215-071
- Producentens varenummer:
- SCT025W120G3AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 56A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Serie | SCT | |
| Emballagetype | Hip-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 27mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 73nC | |
| Portkildespænding maks. | 22V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 388W | |
| Driftstemperatur maks. | 200°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bredde | 15.6mm | |
| Længde | 34.8mm | |
| Højde | 5mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 56A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Serie SCT | ||
Emballagetype Hip-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 27mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 73nC | ||
Portkildespænding maks. 22V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 388W | ||
Driftstemperatur maks. 200°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bredde 15.6mm | ||
Længde 34.8mm | ||
Højde 5mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFET-enhed er udviklet ved hjælp af ST's avancerede og innovative 3. generations SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet kombineret med lave kapaciteter og meget høje koblingsfunktioner, som forbedrer anvendelsesydelse med hensyn til frekvens, energieffektivitet, systemstørrelse og vægtreduktion.
Høj hastighed ved skift
Meget hurtig og robust intrinsic body diode