Nexperia N-Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Forbedring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- RS-varenummer:
- 219-286
- Producentens varenummer:
- PSMN2R0-30YLDX
- Brand:
- Nexperia
Indhold (1 rulle af 1500 enheder)*
Kr. 10.632,00
(ekskl. moms)
Kr. 13.290,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 1.500 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 1500 + | Kr. 7,088 | Kr. 10.632,00 |
*Vejledende pris
Alternativ
Dette produkt er ikke tilgængeligt i øjeblikket. Vi anbefaler dette alternativ.
Pr. stk. (på Rulle á 3000)
Kr. 14.262,00
(ekskl. moms)
Kr. 17.827,50
(inkl. moms)
- RS-varenummer:
- 219-286
- Producentens varenummer:
- PSMN2R0-30YLDX
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 100A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | LFPAK | |
| Serie | PSM | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 21.8nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 142W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype LFPAK | ||
Serie PSM | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 21.8nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 142W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
Nexperia N-kanals MOSFET har NextPowerS3-porteføljen ved hjælp af NXP's unikke SchottkyPlus-teknologi, der giver høj effektivitet, lav spidsydelse, der normalt er forbundet med MOSFETS med en integreret Schottky- eller Schottky-lignende diode, men uden problematisk høj lækstrøm. NextPowerS3 er særligt velegnet til anvendelser med høj effektivitet ved høje skiftefrekvenser.
Lav parasitisk induktion og modstand
Høj pålidelighed clip limet og loddemasse fastgøres Power SO8 hus
Superhurtig skiftning med blød genopretning
Kvalificeret til 175 °C
Relaterede links
- Nexperia N-Kanal 100 A 30 V Forbedring LFPAK, PSM
- Nexperia N-Kanal 70 A 25 V Forbedring LFPAK, PSM
- Nexperia N-Kanal 267 A 100 V Forbedring LFPAK, PSM
- Nexperia N-Kanal 179 A 25 V Forbedring LFPAK, PSM
- Nexperia N-Kanal 180 A 40 V Forbedring LFPAK, PSM
- Nexperia N-Kanal 66 A 30 V Forbedring LFPAK, PSM
- Nexperia N-Kanal 300 A 30 V Forbedring LFPAK, PSM
- Nexperia N-Kanal 51 A 30 V Forbedring LFPAK, PSM