Nexperia Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Forbedring, 5 Ben, LFPAK, PSM Nej PSMN2R0-30YLDX

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 1500 enheder)*

Kr. 10.632,00

(ekskl. moms)

Kr. 13.290,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.500 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
1500 +Kr. 7,088Kr. 10.632,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
219-286
Producentens varenummer:
PSMN2R0-30YLDX
Brand:
Nexperia
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Nexperia

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

100A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

PSM

Emballagetype

LFPAK

Monteringstype

Overflade

Benantal

5

Drain source modstand maks. Rds

2mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

21.8nC

Effektafsættelse maks. Pd

142W

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
PH
Nexperia N-kanals MOSFET har NextPowerS3-porteføljen ved hjælp af NXP's unikke SchottkyPlus-teknologi, der giver høj effektivitet, lav spidsydelse, der normalt er forbundet med MOSFETS med en integreret Schottky- eller Schottky-lignende diode, men uden problematisk høj lækstrøm. NextPowerS3 er særligt velegnet til anvendelser med høj effektivitet ved høje skiftefrekvenser.

Lav parasitisk induktion og modstand

Høj pålidelighed clip limet og loddemasse fastgøres Power SO8 hus

Superhurtig skiftning med blød genopretning

Kvalificeret til 175 °C

Relaterede links