Nexperia Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Forbedring, 5 Ben, LFPAK, PSM Nej PSMN2R0-30YLDX
- RS-varenummer:
- 219-287
- Producentens varenummer:
- PSMN2R0-30YLDX
- Brand:
- Nexperia
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 bånd af 1 enhed)*
Kr. 8,08
(ekskl. moms)
Kr. 10,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 1.500 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Bånd | Pr bånd |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 8,08 |
| 10 - 99 | Kr. 7,26 |
| 100 - 499 | Kr. 6,66 |
| 500 - 999 | Kr. 6,21 |
| 1000 + | Kr. 5,54 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 219-287
- Producentens varenummer:
- PSMN2R0-30YLDX
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 100A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | LFPAK | |
| Serie | PSM | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 21.8nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 142W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype LFPAK | ||
Serie PSM | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 21.8nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 142W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
Nexperia N-kanals MOSFET har NextPowerS3-porteføljen ved hjælp af NXP's unikke SchottkyPlus-teknologi, der giver høj effektivitet, lav spidsydelse, der normalt er forbundet med MOSFETS med en integreret Schottky- eller Schottky-lignende diode, men uden problematisk høj lækstrøm. NextPowerS3 er særligt velegnet til anvendelser med høj effektivitet ved høje skiftefrekvenser.
Lav parasitisk induktion og modstand
Høj pålidelighed clip limet og loddemasse fastgøres Power SO8 hus
Superhurtig skiftning med blød genopretning
Kvalificeret til 175 °C
Relaterede links
- Nexperia N-Kanal 100 A 30 V LFPAK PSMN2R0-30YLDX
- Nexperia N-Kanal 100 A 30 V LFPAK PSMN1R4-30YLDX
- Nexperia N-Kanal 100 A 30 V LFPAK PSMN3R0-30YLDX
- Nexperia N-Kanal 100 A 30 V LFPAK PSMN2R4-30YLDX
- Nexperia N-Kanal 100 A 30 V LFPAK PSMN2R0-30YLE,115
- Nexperia N-Kanal 267 A 100 V LFPAK PSMN2R0-100SSFJ
- Nexperia N-Kanal 51 A 30 V LFPAK PSMN7R5-30YLDX
- Nexperia N-Kanal 66 A 30 V LFPAK PSMN6R1-30YLDX