Nexperia Type N-Kanal, MOSFET, 66 A 30 V Forbedring, 5 Ben, LFPAK, PSM Nej PSMN6R0-30YLDX
- RS-varenummer:
- 219-523
- Producentens varenummer:
- PSMN6R0-30YLDX
- Brand:
- Nexperia
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 bånd af 1 enhed)*
Kr. 2,99
(ekskl. moms)
Kr. 3,74
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 1.500 enhed(er) afsendes fra 29. december 2025
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Bånd | Pr bånd |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 2,99 |
| 10 - 99 | Kr. 2,69 |
| 100 - 499 | Kr. 2,54 |
| 500 - 999 | Kr. 2,32 |
| 1000 + | Kr. 2,09 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 219-523
- Producentens varenummer:
- PSMN6R0-30YLDX
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 66A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | LFPAK | |
| Serie | PSM | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 6mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 10 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 47W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 6.5nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 66A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype LFPAK | ||
Serie PSM | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 6mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 10 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 47W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 6.5nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
Nexperia N-kanals MOSFET har NextPowerS3-porteføljen ved hjælp af NXP's unikke SchottkyPlus-teknologi, der giver høj effektivitet, lav spidsydelse, der normalt er forbundet med MOSFETS med en integreret Schottky- eller Schottky-lignende diode, men uden problematisk høj lækstrøm. NextPowerS3 er særligt velegnet til anvendelser med høj effektivitet ved høje skiftefrekvenser.
Lav parasitisk induktion og modstand
Høj pålidelighed clip limet og loddemasse fastgøres Power SO8 hus
Kvalificeret til 175 °C
Superhurtig skiftning med blød genopretning
Relaterede links
- Nexperia N-Kanal 66 A 30 V LFPAK PSMN6R0-30YLDX
- Nexperia N-Kanal 66 A 30 V LFPAK PSMN6R1-30YLDX
- Nexperia N-Kanal 100 A 30 V LFPAK PSMN1R4-30YLDX
- Nexperia N-Kanal 51 A 30 V LFPAK PSMN7R5-30YLDX
- Nexperia N-Kanal 100 A 30 V LFPAK PSMN3R0-30YLDX
- Nexperia N-Kanal 300 A 30 V LFPAK PSMN0R9-30YLDX
- Nexperia N-Kanal 250 A 30 V LFPAK PSMN1R2-30YLDX
- Nexperia N-Kanal 300 A 30 V LFPAK PSMN1R0-30YLDX