Nexperia Type N-Kanal, MOSFET, 66 A 30 V Forbedring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- RS-varenummer:
- 219-523
- Producentens varenummer:
- PSMN6R0-30YLDX
- Brand:
- Nexperia
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 1 enhed)*
Kr. 2,39
(ekskl. moms)
Kr. 2,99
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 1.490 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Bånd | Pr bånd |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 2,39 |
| 10 - 99 | Kr. 2,15 |
| 100 - 499 | Kr. 2,03 |
| 500 - 999 | Kr. 1,85 |
| 1000 + | Kr. 1,67 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 219-523
- Producentens varenummer:
- PSMN6R0-30YLDX
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 66A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | PSM | |
| Emballagetype | LFPAK | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 6mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 47W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 6.5nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 66A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie PSM | ||
Emballagetype LFPAK | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 6mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 47W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 6.5nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
Nexperia N-kanals MOSFET har NextPowerS3-porteføljen ved hjælp af NXP's unikke SchottkyPlus-teknologi, der giver høj effektivitet, lav spidsydelse, der normalt er forbundet med MOSFETS med en integreret Schottky- eller Schottky-lignende diode, men uden problematisk høj lækstrøm. NextPowerS3 er særligt velegnet til anvendelser med høj effektivitet ved høje skiftefrekvenser.
Lav parasitisk induktion og modstand
Høj pålidelighed clip limet og loddemasse fastgøres Power SO8 hus
Kvalificeret til 175 °C
Superhurtig skiftning med blød genopretning
Relaterede links
- Nexperia Type N-Kanal 66 A 30 V Forbedring LFPAK, PSM
- Nexperia Type N-Kanal 61 A 25 V Forbedring LFPAK, PSM
- Nexperia Type N-Kanal 51 A 30 V Forbedring LFPAK, PSM
- Nexperia Type N-Kanal 100 A 30 V Forbedring LFPAK, PSM
- Nexperia Type N-Kanal 300 A 30 V Forbedring LFPAK, PSM
- Nexperia Type N-Kanal 160 A 40 V Forbedring LFPAK, PSM
- Nexperia Type N-Kanal 120 A 40 V Forbedring LFPAK, PSM
- Nexperia Type N-Kanal 70 A 25 V Forbedring LFPAK, PSM