Nexperia Type N-Kanal, MOSFET, 70 A 30 V Forbedring, 5 Ben, LFPAK, PSM Nej PSMN2R4-30MLDX

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 1500 enheder)*

Kr. 6.537,00

(ekskl. moms)

Kr. 8.172,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 1.500 enhed(er) afsendes fra 20. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
1500 +Kr. 4,358Kr. 6.537,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
219-322
Producentens varenummer:
PSMN2R4-30MLDX
Brand:
Nexperia
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Nexperia

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

70A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

PSM

Emballagetype

LFPAK

Monteringstype

Overflade

Benantal

5

Drain source modstand maks. Rds

2.4mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

91W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

16nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Nexperia N-kanals MOSFET har NextPowerS3-porteføljen ved hjælp af NXP's unikke SchottkyPlus-teknologi, der giver høj effektivitet, lav spidsydelse, der normalt er forbundet med MOSFETS med en integreret Schottky- eller Schottky-lignende diode, men uden problematisk høj lækstrøm. NextPowerS3 er særligt velegnet til anvendelser med høj effektivitet ved høje skiftefrekvenser.

Lav parasitisk induktion og modstand

Høj pålidelighed clip limet og loddemasse fastgøres Power SO8 hus

Kvalificeret til 175 °C

Superhurtig skiftning med blød genopretning

Relaterede links