Nexperia Type N-Kanal, MOSFET, 70 A 30 V Forbedring, 5 Ben, LFPAK, PSM Nej PSMN2R4-30MLDX
- RS-varenummer:
- 219-323
- Producentens varenummer:
- PSMN2R4-30MLDX
- Brand:
- Nexperia
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 bånd af 1 enhed)*
Kr. 6,58
(ekskl. moms)
Kr. 8,22
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 1.500 enhed(er) afsendes fra 20. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Bånd | Pr bånd |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 6,58 |
| 10 - 99 | Kr. 5,91 |
| 100 - 499 | Kr. 5,46 |
| 500 - 999 | Kr. 5,09 |
| 1000 + | Kr. 4,49 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 219-323
- Producentens varenummer:
- PSMN2R4-30MLDX
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 70A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | PSM | |
| Emballagetype | LFPAK | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.4mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 16nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 91W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 70A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie PSM | ||
Emballagetype LFPAK | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.4mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 16nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 91W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Nexperia N-kanals MOSFET har NextPowerS3-porteføljen ved hjælp af NXP's unikke SchottkyPlus-teknologi, der giver høj effektivitet, lav spidsydelse, der normalt er forbundet med MOSFETS med en integreret Schottky- eller Schottky-lignende diode, men uden problematisk høj lækstrøm. NextPowerS3 er særligt velegnet til anvendelser med høj effektivitet ved høje skiftefrekvenser.
Lav parasitisk induktion og modstand
Høj pålidelighed clip limet og loddemasse fastgøres Power SO8 hus
Kvalificeret til 175 °C
Superhurtig skiftning med blød genopretning
Relaterede links
- Nexperia N-Kanal 70 A 30 V LFPAK PSMN2R4-30MLDX
- Nexperia N-Kanal 100 A 30 V LFPAK PSMN2R4-30YLDX
- Nexperia N-Kanal 57 A 30 V LFPAK PSMN7R5-30MLDX
- Nexperia N-Kanal 66 A 30 V LFPAK PSMN6R4-30MLDX
- Nexperia N-Kanal 70 A 25 V LFPAK PSMN3R5-25MLDX
- Nexperia N-Kanal 70 A 25 V LFPAK PSMN2R0-25MLDX
- Nexperia N-Kanal 70 A 25 V LFPAK PSMN5R4-25YLDX
- Nexperia N-Kanal 100 A 30 V LFPAK PSMN1R4-30YLDX