Nexperia Type N-Kanal, MOSFET, 18 A 100 V Forbedring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- RS-varenummer:
- 219-414
- Producentens varenummer:
- PSMN075-100MSEX
- Brand:
- Nexperia
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 bånd af 1 enhed)*
Kr. 4,41
(ekskl. moms)
Kr. 5,51
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 3.000 enhed(er) afsendes fra 05. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Bånd | Pr bånd |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 4,41 |
| 10 - 99 | Kr. 3,96 |
| 100 - 499 | Kr. 3,67 |
| 500 - 999 | Kr. 3,44 |
| 1000 + | Kr. 3,07 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 219-414
- Producentens varenummer:
- PSMN075-100MSEX
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 18A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | LFPAK | |
| Serie | PSM | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 71mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 16.4nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 65W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | IEEE802.3at, RoHS | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 18A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype LFPAK | ||
Serie PSM | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 71mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 16.4nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 65W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser IEEE802.3at, RoHS | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
Nexperia N-kanals MOSFET er designet til at understøtte den næste generation af Power-over-Ethernet-systemer, der er i stand til at levere op til 100 W til hver strømforsynet enhed. Den opfylder de øgede krav til anvendelser som f.eks. store LCD-skærme, 3G/4G/Wi-Fi hotspots og pan-tilt-zoom CCTV-kameraer. Med avancerede funktioner til håndtering af softstartprocedurer, kortslutningsmodstandsdygtighed, termisk styring og høj effekttæthed sikrer den pålidelig og effektiv ydeevne for strømforsyningsudstyr i krævende miljøer.
Forbedret forspændt sikkert driftsområde for overlegen drift i lineær tilstand
Lav Rdson for lave ledningstab
Meget pålideligt LFPAK33-hus
Meget lav IDSS
Relaterede links
- Nexperia Type N-Kanal 18 A 100 V Forbedring LFPAK, PSM
- Nexperia Type N-Kanal 30 A 100 V Forbedring LFPAK, PSM
- Nexperia Type N-Kanal 120 A 100 V Forbedring LFPAK, PSM
- Nexperia Type N-Kanal 280 A 40 V Forbedring LFPAK, PSM
- Nexperia Type N-Kanal 120 A 40 V Forbedring LFPAK, PSM
- Nexperia Type N-Kanal 160 A 40 V Forbedring LFPAK, PSM
- Nexperia Type N-Kanal 200 A 25 V Forbedring LFPAK, PSM
- Nexperia Type N-Kanal 330 A 30 V Forbedring LFPAK, PSM