Nexperia Type N-Kanal, MOSFET, 24 A 100 V Forbedring, 8 Ben, MLPAK, PXN Nej PXN028-100QLJ
- RS-varenummer:
- 219-416
- Producentens varenummer:
- PXN028-100QLJ
- Brand:
- Nexperia
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 bånd af 1 enhed)*
Kr. 2,02
(ekskl. moms)
Kr. 2,52
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 2.147 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Bånd | Pr bånd |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 2,02 |
| 10 - 99 | Kr. 1,87 |
| 100 - 499 | Kr. 1,72 |
| 500 - 999 | Kr. 1,65 |
| 1000 + | Kr. 1,35 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 219-416
- Producentens varenummer:
- PXN028-100QLJ
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 24A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | PXN | |
| Emballagetype | MLPAK | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 28mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 7nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 30W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 3.3 mm | |
| Højde | 0.8mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 3.3mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 24A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie PXN | ||
Emballagetype MLPAK | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 28mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 7nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 30W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 3.3 mm | ||
Højde 0.8mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 3.3mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Nexperia N-kanals MOSFET leveres i et MLPAK33 hus. Den er designet til en lang række standardanvendelser. Nøgleanvendelser omfatter sekundær synkron udligning på siden, DC-til-DC-konvertere, husholdningsapparater, motordrev, belastningsswitching og LED-belysning.
Logikniveaukompatibilitet
Trench MOSFET-teknologi
Termisk effektivt hus i en lille formfaktor
Relaterede links
- Nexperia N-Kanal 24 A 100 V MLPAK PXN028-100QLJ
- Nexperia N-Kanal 50 A 100 V MLPAK PXN012-100QSJ
- Nexperia N-Kanal 17 A 100 V MLPAK PXN040-100QSJ
- Nexperia N-Kanal 120 A 100 V LFPAK56E PSMN4R8-100YSEX
- Nexperia N-Kanal 100 A 30 V LFPAK PSMN1R4-30YLDX
- Nexperia N-Kanal 55 A 100 V LFPAK PSMN015-100YSFX
- Nexperia N-Kanal 190 mA 100 V SOT-23 BST82,215
- Nexperia N-Kanal 120 A 100 V LFPAK PSMN4R8-100BSEJ
