Nexperia Type N-Kanal, MOSFET, 425 A 40 V Forbedring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- RS-varenummer:
- 219-468P
- Producentens varenummer:
- PSMNR70-40SSHJ
- Brand:
- Nexperia
Der er mulighed for mængderabat
Indhold 10 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 321,40
(ekskl. moms)
Kr. 401,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 2.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 10 - 99 | Kr. 32,14 |
| 100 + | Kr. 29,68 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 219-468P
- Producentens varenummer:
- PSMNR70-40SSHJ
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 425A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | LFPAK | |
| Serie | PSM | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.7mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 144nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 375W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 8mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Højde | 1.6mm | |
| Bredde | 8 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 425A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype LFPAK | ||
Serie PSM | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.7mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 144nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 375W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 8mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Højde 1.6mm | ||
Bredde 8 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Nexperia N-Channel MOSFET med NextPowerS3-porteføljen, der anvender NXP's unikke SchottkyPlus-teknologi, leverer høj effektivitet og lav spike-ydelse, som normalt forbindes med MOSFETS med en integreret Schottky- eller Schottky-lignende diode, men uden den problematiske høje lækstrøm. NextPowerS3 er særligt velegnet til applikationer med høj effektivitet ved høje skiftefrekvenser.
Lav parasitisk induktans og modstand
Lavine vurderet
Bølgelodning mulig
Superhurtig omskiftning med blød genopretning
Relaterede links
- Nexperia Type N-Kanal 425 A 40 V Forbedring LFPAK, PSM
- Nexperia Type N-Kanal 325 A 40 V Forbedring LFPAK, PSM
- Nexperia Type N-Kanal 115 A 100 V Forbedring LFPAK, PSM
- Nexperia Type N-Kanal 150 A 30 V Forbedring LFPAK, PSM
- Nexperia Type N-Kanal 270 A 25 V Forbedring LFPAK, PSM
- Nexperia Type N-Kanal 267 A 100 V Forbedring LFPAK, PSM
- Nexperia Type N-Kanal 120 A 40 V Forbedring LFPAK, PSM
- Nexperia Type N-Kanal 300 A 25 V Forbedring LFPAK, PSM
