Nexperia Type N-Kanal, MOSFET, 240 A 40 V Forbedring, 5 Ben, LFPAK, NextPower-S3 technology
- RS-varenummer:
- 219-474
- Producentens varenummer:
- PSMN1R4-40YLDX
- Brand:
- Nexperia
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 1 enhed)*
Kr. 14,89
(ekskl. moms)
Kr. 18,61
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 1.500 enhed(er) afsendes fra 21. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Bånd | Pr bånd |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 14,89 |
| 10 - 99 | Kr. 13,39 |
| 100 - 499 | Kr. 12,42 |
| 500 - 999 | Kr. 11,52 |
| 1000 + | Kr. 10,25 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 219-474
- Producentens varenummer:
- PSMN1R4-40YLDX
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 240A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | NextPower-S3 technology | |
| Emballagetype | LFPAK | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.4mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 238W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 45nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 240A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie NextPower-S3 technology | ||
Emballagetype LFPAK | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.4mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 238W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 45nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
Nexperia N-kanals MOSFET har avanceret TrenchMOS Super junction-teknologi. Dette produkt er designet og kvalificeret til højtydende effektomskifter. Den er designet til højtydende anvendelser, herunder synkron ensretning, DC-til-DC-konvertere, serverstrømforsyninger, børsteløs DC-motorstyring og batteribeskyttelse. Den giver høj effektivitet og pålidelig ydeevne på tværs af en bred vifte af strømstyringsopgaver.
Lav parasitisk induktion og modstand
Høj pålidelighed clip limet og loddemasse fastgøres Power SO8 hus
Kan bølgeloddes
Superhurtig skiftning med blød genopretning
Relaterede links
- Nexperia Type N-Kanal 240 A 40 V Forbedring LFPAK, NextPower-S3 technology
- Nexperia Type N-Kanal 240 A 40 V Forbedring LFPAK, NextPower-S3 Schottky-Plus
- Nexperia Type N-Kanal 290 A 40 V Forbedring LFPAK, NextPower-S3 Schottky-Plus technology
- Nexperia Type N-Kanal 100 A 30 V Forbedring LFPAK, NextPowerS3 Technology
- Nexperia Type N-Kanal 55 A 100 V Forbedring LFPAK, NextPower
- Nexperia Type N-Kanal 65 A 100 V Forbedring LFPAK, NextPower
- Nexperia Type N-Kanal 120 A 40 V Forbedring LFPAK, PSM
- Nexperia Type N-Kanal 280 A 40 V Forbedring LFPAK, PSM