Nexperia Type N-Kanal, MOSFET, 240 A 40 V Forbedring, 5 Ben, LFPAK, NextPower-S3 Schottky-Plus Nej PSMN1R4-40YSHX
- RS-varenummer:
- 219-293
- Producentens varenummer:
- PSMN1R4-40YSHX
- Brand:
- Nexperia
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 bånd af 1 enhed)*
Kr. 15,18
(ekskl. moms)
Kr. 18,98
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 1.500 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Bånd | Pr bånd |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 15,18 |
| 10 - 99 | Kr. 13,61 |
| 100 - 499 | Kr. 12,57 |
| 500 - 999 | Kr. 11,67 |
| 1000 + | Kr. 10,40 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 219-293
- Producentens varenummer:
- PSMN1R4-40YSHX
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 240A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | LFPAK | |
| Serie | NextPower-S3 Schottky-Plus | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.4mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 10 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 333W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 96nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 240A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype LFPAK | ||
Serie NextPower-S3 Schottky-Plus | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.4mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 10 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 333W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 96nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
Nexperia N-kanals MOSFET har avanceret TrenchMOS Super junction-teknologi. Dette produkt er designet og kvalificeret til højtydende effektomskifter. Den er designet til højtydende anvendelser, herunder synkron ensretning, DC-til-DC-konvertere, serverstrømforsyninger, børsteløs DC-motorstyring og batteribeskyttelse. Den giver høj effektivitet og pålidelig ydeevne på tværs af en bred vifte af strømstyringsopgaver.
Lav parasitisk induktion og modstand
Høj pålidelighed clip limet og loddemasse fastgøres Power SO8 hus
Kan bølgeloddes
Superhurtig skiftning med blød genopretning
Relaterede links
- Nexperia N-Kanal 240 A 40 V LFPAK PSMN1R4-40YSHX
- Nexperia N-Kanal 240 A 40 V LFPAK PSMN1R4-40YLDX
- Nexperia N-Kanal 290 A 40 V LFPAK PSMN1R0-40YSHX
- Nexperia N-Kanal 100 A 30 V LFPAK PSMN1R4-30YLDX
- Nexperia N-Kanal 240 A 40 V LFPAK PSMN1R5-40YSDX
- Nexperia N-Kanal 240 A 80 V LFPAK PSMN2R3-80SSFJ
- Nexperia N-Kanal 240 A 25 V LFPAK PSMN1R0-25YLDX
- Nexperia N-Kanal 120 A 40 V LFPAK PSMN3R5-40YSDX
