Nexperia Type N-Kanal, MOSFET, 240 A 40 V Forbedring, 5 Ben, LFPAK, NextPower-S3 Schottky-Plus
- RS-varenummer:
- 219-293
- Producentens varenummer:
- PSMN1R4-40YSHX
- Brand:
- Nexperia
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 1 enhed)*
Kr. 15,18
(ekskl. moms)
Kr. 18,98
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 1.500 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Bånd | Pr bånd |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 15,18 |
| 10 - 99 | Kr. 13,61 |
| 100 - 499 | Kr. 12,57 |
| 500 - 999 | Kr. 11,67 |
| 1000 + | Kr. 10,40 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 219-293
- Producentens varenummer:
- PSMN1R4-40YSHX
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 240A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | NextPower-S3 Schottky-Plus | |
| Emballagetype | LFPAK | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.4mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 96nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 333W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 240A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie NextPower-S3 Schottky-Plus | ||
Emballagetype LFPAK | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.4mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 96nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 333W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
Nexperia N-kanals MOSFET har avanceret TrenchMOS Super junction-teknologi. Dette produkt er designet og kvalificeret til højtydende effektomskifter. Den er designet til højtydende anvendelser, herunder synkron ensretning, DC-til-DC-konvertere, serverstrømforsyninger, børsteløs DC-motorstyring og batteribeskyttelse. Den giver høj effektivitet og pålidelig ydeevne på tværs af en bred vifte af strømstyringsopgaver.
Lav parasitisk induktion og modstand
Høj pålidelighed clip limet og loddemasse fastgøres Power SO8 hus
Kan bølgeloddes
Superhurtig skiftning med blød genopretning
Relaterede links
- Nexperia Type N-Kanal 240 A 40 V Forbedring LFPAK, NextPower-S3 Schottky-Plus
- Nexperia Type N-Kanal 290 A 40 V Forbedring LFPAK, NextPower-S3 Schottky-Plus technology
- Nexperia Type N-Kanal 240 A 40 V Forbedring LFPAK, NextPower-S3 technology
- Nexperia Type N-Kanal 55 A 100 V Forbedring LFPAK, NextPower
- Nexperia Type N-Kanal 65 A 100 V Forbedring LFPAK, NextPower
- Nexperia Type N-Kanal 100 A 30 V Forbedring LFPAK, NextPowerS3 Technology
- Nexperia Type N-Kanal 240 A 80 V Forbedring LFPAK, PSM
- Nexperia Type N-Kanal 240 A 40 V Forbedring LFPAK, PSM