Nexperia Type N-Kanal, MOSFET, 290 A 40 V Forbedring, 5 Ben, LFPAK, NextPower-S3 Schottky-Plus technology
- RS-varenummer:
- 219-337
- Producentens varenummer:
- PSMN1R0-40YSHX
- Brand:
- Nexperia
Indhold (1 rulle af 1500 enheder)*
Kr. 34.206,00
(ekskl. moms)
Kr. 42.757,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 1.500 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 1500 + | Kr. 22,804 | Kr. 34.206,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 219-337
- Producentens varenummer:
- PSMN1R0-40YSHX
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 290A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | NextPower-S3 Schottky-Plus technology | |
| Emballagetype | LFPAK | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 87nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 333W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 290A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie NextPower-S3 Schottky-Plus technology | ||
Emballagetype LFPAK | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 87nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 333W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
Nexperia N-kanals MOSFET har avanceret TrenchMOS Super junction-teknologi. Dette produkt er designet og kvalificeret til højtydende effektomskifter. Den er designet til højtydende anvendelser, herunder synkron ensretning, DC-til-DC-konvertere, serverstrømforsyninger, børsteløs DC-motorstyring, batteribeskyttelse og belastningsswitch/eFuse-løsninger. Den giver høj effektivitet og pålidelig ydeevne på tværs af en bred vifte af strømstyringsopgaver.
Lav parasitisk induktion og modstand
Høj pålidelighed clip limet og loddemasse fastgøres Power SO8 hus
Kan bølgeloddes
Superhurtig skiftning med blød genopretning
Relaterede links
- Nexperia Type N-Kanal 290 A 40 V Forbedring LFPAK, NextPower-S3 Schottky-Plus technology
- Nexperia Type N-Kanal 240 A 40 V Forbedring LFPAK, NextPower-S3 Schottky-Plus
- Nexperia Type N-Kanal 240 A 40 V Forbedring LFPAK, NextPower-S3 technology
- Nexperia Type N-Kanal 55 A 100 V Forbedring LFPAK, NextPower
- Nexperia Type N-Kanal 65 A 100 V Forbedring LFPAK, NextPower
- Nexperia Type N-Kanal 325 A 40 V Forbedring LFPAK, PSM
- Nexperia Type N-Kanal 280 A 40 V Forbedring LFPAK, PSM
- Nexperia Type N-Kanal 240 A 25 V Forbedring LFPAK, PSM