Nexperia N-Kanal, MOSFET, 290 A 40 V Forbedring, 5 Ben, LFPAK, NextPower-S3 Schottky-Plus technology
- RS-varenummer:
- 219-337
- Producentens varenummer:
- PSMN1R0-40YSHX
- Brand:
- Nexperia
Indhold (1 rulle af 1500 enheder)*
Kr. 34.206,00
(ekskl. moms)
Kr. 42.757,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 1.500 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 1500 + | Kr. 22,804 | Kr. 34.206,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 219-337
- Producentens varenummer:
- PSMN1R0-40YSHX
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 290A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | NextPower-S3 Schottky-Plus technology | |
| Emballagetype | LFPAK | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 333W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 87nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 290A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie NextPower-S3 Schottky-Plus technology | ||
Emballagetype LFPAK | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 333W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 87nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
Nexperia N-kanals MOSFET har avanceret TrenchMOS Super junction-teknologi. Dette produkt er designet og kvalificeret til højtydende effektomskifter. Den er designet til højtydende anvendelser, herunder synkron ensretning, DC-til-DC-konvertere, serverstrømforsyninger, børsteløs DC-motorstyring, batteribeskyttelse og belastningsswitch/eFuse-løsninger. Den giver høj effektivitet og pålidelig ydeevne på tværs af en bred vifte af strømstyringsopgaver.
Lav parasitisk induktion og modstand
Høj pålidelighed clip limet og loddemasse fastgøres Power SO8 hus
Kan bølgeloddes
Superhurtig skiftning med blød genopretning
Relaterede links
- Nexperia N-Kanal 290 A 40 V Forbedring LFPAK, NextPower-S3 Schottky-Plus technology
- Nexperia N-Kanal 240 A 40 V Forbedring LFPAK, NextPower-S3 Schottky-Plus
- Nexperia N-Kanal 240 A 40 V Forbedring LFPAK, NextPower-S3 technology
- Nexperia N-Kanal 65 A 100 V Forbedring LFPAK, NextPower
- Nexperia N-Kanal 55 A 100 V Forbedring LFPAK, NextPower
- Nexperia N-Kanal 280 A 40 V Forbedring LFPAK, PSM
- Nexperia N-Kanal 300 A 30 V Forbedring LFPAK, PSM
- Nexperia N-Kanal 275 A 30 V Forbedring LFPAK, PSM