Nexperia Type N-Kanal, MOSFET, 290 A 40 V Forbedring, 5 Ben, LFPAK, NextPower-S3 Schottky-Plus technology

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 1500 enheder)*

Kr. 34.206,00

(ekskl. moms)

Kr. 42.757,50

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
1500 +Kr. 22,804Kr. 34.206,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
219-337
Producentens varenummer:
PSMN1R0-40YSHX
Brand:
Nexperia
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Nexperia

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

290A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Emballagetype

LFPAK

Serie

NextPower-S3 Schottky-Plus technology

Monteringstype

Overflade

Benantal

5

Drain source modstand maks. Rds

1mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

87nC

Effektafsættelse maks. Pd

333W

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
PH
Nexperia N-kanals MOSFET har avanceret TrenchMOS Super junction-teknologi. Dette produkt er designet og kvalificeret til højtydende effektomskifter. Den er designet til højtydende anvendelser, herunder synkron ensretning, DC-til-DC-konvertere, serverstrømforsyninger, børsteløs DC-motorstyring, batteribeskyttelse og belastningsswitch/eFuse-løsninger. Den giver høj effektivitet og pålidelig ydeevne på tværs af en bred vifte af strømstyringsopgaver.

Lav parasitisk induktion og modstand

Høj pålidelighed clip limet og loddemasse fastgøres Power SO8 hus

Kan bølgeloddes

Superhurtig skiftning med blød genopretning

Relaterede links