Nexperia Type N-Kanal, MOSFET, 240 A 25 V Forbedring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- RS-varenummer:
- 219-482
- Producentens varenummer:
- PSMN1R0-25YLDX
- Brand:
- Nexperia
Indhold (1 rulle af 1500 enheder)*
Kr. 15.745,50
(ekskl. moms)
Kr. 19.681,50
(inkl. moms)
Tilføj 1500 enheder for at opnå gratis levering
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 31. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 1500 + | Kr. 10,497 | Kr. 15.745,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 219-482
- Producentens varenummer:
- PSMN1R0-25YLDX
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 240A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 25V | |
| Emballagetype | LFPAK | |
| Serie | PSM | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 71.8nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 160W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 240A | ||
Drain source spænding maks. Vds 25V | ||
Emballagetype LFPAK | ||
Serie PSM | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 71.8nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 160W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
Nexperia N-kanals MOSFET har NextPowerS3-porteføljen ved hjælp af NXP's unikke SchottkyPlus-teknologi, der giver høj effektivitet, lav spidsydelse, der normalt er forbundet med MOSFETS med en integreret Schottky- eller Schottky-lignende diode, men uden problematisk høj lækstrøm. NextPowerS3 er særligt velegnet til anvendelser med høj effektivitet ved høje skiftefrekvenser.
Lav parasitisk induktion og modstand
Høj pålidelighed clip limet og loddemasse fastgøres Power SO8 hus
Kan bølgeloddes
Superhurtig skiftning med blød genopretning
Relaterede links
- Nexperia Type N-Kanal 240 A 25 V Forbedring LFPAK, PSM
- Nexperia Type N-Kanal 325 A 40 V Forbedring LFPAK, PSM
- Nexperia Type N-Kanal 300 A 30 V Forbedring LFPAK, PSM
- Nexperia Type N-Kanal 275 A 30 V Forbedring LFPAK, PSM
- Nexperia Type N-Kanal 280 A 40 V Forbedring LFPAK, PSM
- Nexperia Type N-Kanal 70 A 25 V Forbedring LFPAK, PSM
- Nexperia Type N-Kanal 179 A 25 V Forbedring LFPAK, PSM
- Nexperia Type N-Kanal 300 A 25 V Forbedring LFPAK, PSM