onsemi N-Kanal, MOSFET, 414 A 40 V Forbedring, 5 Ben, DFN-5, NTMFS
- RS-varenummer:
- 220-589
- Producentens varenummer:
- NTMFS0D5N04XMT1G
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (5 enheder, på en tape med 5)*
Kr. 127,31
(ekskl. moms)
Kr. 159,14
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 1.500 enhed(er) afsendes fra 25. august 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 25,462 | Kr. 127,31 |
| 50 - 95 | Kr. 24,206 | Kr. 121,03 |
| 100 - 495 | Kr. 22,35 | Kr. 111,75 |
| 500 - 995 | Kr. 20,614 | Kr. 103,07 |
| 1000 + | Kr. 19,852 | Kr. 99,26 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 220-589
- Producentens varenummer:
- NTMFS0D5N04XMT1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 414A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | DFN-5 | |
| Serie | NTMFS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.52mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 97.5nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 163W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 800mV | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 6mm | |
| Længde | 5mm | |
| Standarder/godkendelser | Pb-Free, RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 414A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype DFN-5 | ||
Serie NTMFS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.52mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 97.5nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 163W | ||
Gennemgangsspænding Vf 800mV | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 6mm | ||
Længde 5mm | ||
Standarder/godkendelser Pb-Free, RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
ON Semiconductor Power MOSFET-teknologi med klassens bedste On-Resistance til motordriverapplikationer. Lavere On-Resistance og mindre gate-ladning kan reducere ledningstab og drivtab. God softness-kontrol af kropsdiodens reverse recovery kan reducere spændingsspidsbelastningen uden ekstra snubber-kredsløb i applikationen.
Halogenfri
I overensstemmelse med RoHS