onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 201 A 80 V Forbedring, 8 Ben, SO-8FL, NTMFS
- RS-varenummer:
- 220-600
- Producentens varenummer:
- NTMFS2D1N08XT1G
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 5 enheder)*
Kr. 112,65
(ekskl. moms)
Kr. 140,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 1.300 enhed(er) afsendes fra 23. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 22,53 | Kr. 112,65 |
| 50 - 95 | Kr. 21,422 | Kr. 107,11 |
| 100 - 495 | Kr. 19,822 | Kr. 99,11 |
| 500 - 995 | Kr. 18,236 | Kr. 91,18 |
| 1000 + | Kr. 17,578 | Kr. 87,89 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 220-600
- Producentens varenummer:
- NTMFS2D1N08XT1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 201A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Emballagetype | SO-8FL | |
| Serie | NTMFS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.9mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 164W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 63nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 1mm | |
| Længde | 6.15mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 201A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Emballagetype SO-8FL | ||
Serie NTMFS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.9mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 164W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 63nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 1mm | ||
Længde 6.15mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
ON Semiconductor MOSFET er et best-in-class produkt på 80V-markedet. Dette produkt vil være den bedste løsning inden for cloud power, 5G Telecom, andre PSU-applikationer, DC/DC og industrielle applikationer. Og det giver bedre ydeevne med forbedret systemeffektivitet og høj effekttæthed med nedenstående ydeevnefunktioner.
Halogenfri
I overensstemmelse med RoHS
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 78 A 30 V Forbedring SO-8FL, NTMFS
- onsemi Type N-Kanal 276 A 60 V Forbedring SO-8FL, NTMFS
- onsemi Type N-Kanal 323 A 40 V Forbedring SO-8FL, NTMFS
- onsemi Type N-Kanal 273 A 40 V Forbedring SO-8FL, NTMFS
- onsemi Type P-Kanal 164 A 30 V Forbedring SO-8FL, NTMFS
- onsemi Type N-Kanal 201 A 80 V Forbedring SO-8FL, NVMFWS AEC-Q
- onsemi Type N-Kanal 69 A 30 V Forbedring SO-8FL, NTMFS4C06N
- onsemi Type N-Kanal 89 A 60 V Forbedring SO-8FL, NTMFS5C646NL