onsemi Type P-Kanal, MOSFET, 164 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SO-8FL, NTMFS Nej NTMFS005P03P8ZT1G
- RS-varenummer:
- 220-586
- Producentens varenummer:
- NTMFS005P03P8ZT1G
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 bånd af 5 enheder)*
Kr. 73,08
(ekskl. moms)
Kr. 91,35
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 1.500 enhed(er) afsendes fra 01. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 14,616 | Kr. 73,08 |
| 50 - 95 | Kr. 13,912 | Kr. 69,56 |
| 100 - 495 | Kr. 12,85 | Kr. 64,25 |
| 500 - 995 | Kr. 11,834 | Kr. 59,17 |
| 1000 + | Kr. 11,384 | Kr. 56,92 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 220-586
- Producentens varenummer:
- NTMFS005P03P8ZT1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 164A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | NTMFS | |
| Emballagetype | SO-8FL | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.7mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 104W | |
| Portkildespænding maks. | 25 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 183nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 164A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie NTMFS | ||
Emballagetype SO-8FL | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.7mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 104W | ||
Portkildespænding maks. 25 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 183nC | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
ON Semiconductor MOSFET med avanceret pakketeknologi i 5x6 mm for pladsbesparelse og fremragende varmeledning.
I overensstemmelse med RoHS
Pb-fri og halogenfri/BFR-fri
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 323 A 40 V Forbedring SO-8FL, NTMFS NTMFS0D7N04XMT1G
- onsemi Type N-Kanal 276 A 60 V Forbedring SO-8FL, NTMFS Nej
- onsemi Type N-Kanal 78 A 30 V Forbedring SO-8FL, NTMFS Nej
- onsemi Type N-Kanal 276 A 60 V Forbedring SO-8FL, NTMFS Nej NTMFS5C604NLT1G
- onsemi Type N-Kanal 201 A 80 V Forbedring SO-8FL, NTMFS Nej NTMFS2D1N08XT1G
- onsemi Type N-Kanal 78 A 30 V Forbedring SO-8FL, NTMFS Nej NTMFS4C05NT1G
- onsemi Type N-Kanal 273 A 40 V Forbedring SO-8FL, NTMFS Nej NTMFS0D9N04XMT1G
- onsemi Type N-Kanal 89 A 60 V Forbedring SO-8FL, NTMFS5C646NL Nej
