onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 89 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SO-8FL, NTMFS5C646NL Nej NTMFS5C646NLT1G
- RS-varenummer:
- 842-7933
- Producentens varenummer:
- NTMFS5C646NLT1G
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 83,63
(ekskl. moms)
Kr. 104,54
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 14. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 16,726 | Kr. 83,63 |
| 50 - 95 | Kr. 14,422 | Kr. 72,11 |
| 100 - 495 | Kr. 12,506 | Kr. 62,53 |
| 500 - 995 | Kr. 10,98 | Kr. 54,90 |
| 1000 + | Kr. 9,994 | Kr. 49,97 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 842-7933
- Producentens varenummer:
- NTMFS5C646NLT1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 89A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | SO-8FL | |
| Serie | NTMFS5C646NL | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 6.3mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 66W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 33.7nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.1mm | |
| Højde | 1.05mm | |
| Bredde | 5.1 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 89A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype SO-8FL | ||
Serie NTMFS5C646NL | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 6.3mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 66W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 33.7nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.1mm | ||
Højde 1.05mm | ||
Bredde 5.1 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal Power MOSFET, 60 V, ON Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semiconductor
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 89 A 60 V Forbedring SO-8FL, NTMFS5C646NL Nej
- onsemi Type N-Kanal 276 A 60 V Forbedring SO-8FL, NTMFS Nej
- onsemi Type N-Kanal 276 A 60 V Forbedring SO-8FL, NTMFS Nej NTMFS5C604NLT1G
- onsemi Type N-Kanal 323 A 40 V Forbedring SO-8FL, NTMFS NTMFS0D7N04XMT1G
- onsemi Type N-Kanal 78 A 30 V Forbedring SO-8FL, NTMFS Nej
- onsemi Type N-Kanal 69 A 30 V Forbedring SO-8FL, NTMFS4C06N Nej
- onsemi Type N-Kanal 46 A 30 V Forbedring SO-8FL, NTMFS4C10N Nej
- onsemi Type N-Kanal 69 A 30 V Forbedring SO-8FL, NTMFS4C06N Nej NTMFS4C06NT1G
