onsemi N-Kanal, MOSFET, 276 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SO-8FL, NTMFS
- RS-varenummer:
- 842-7939
- Producentens varenummer:
- NTMFS5C604NLT1G
- Brand:
- onsemi
Få rabat ved storkøb
Tilføj 10 flere for at gemme 13%
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 23,26
(ekskl. moms)
Kr. 29,08
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 1.383 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 23,26 | - |
| 10 - 99 | Kr. 20,05 | 13% |
| 100 - 499 | Kr. 17,35 | 25% |
| 500 - 999 | Kr. 15,26 | 34% |
| 1000 + | Kr. 13,84 | 40% |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 842-7939
- Producentens varenummer:
- NTMFS5C604NLT1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 276A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | SO-8FL | |
| Serie | NTMFS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.7mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 120nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 167W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.05mm | |
| Længde | 6.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 5.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 276A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype SO-8FL | ||
Serie NTMFS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.7mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 120nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 167W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.05mm | ||
Længde 6.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 5.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal Power MOSFET, 60 V, ON Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semiconductor
Relaterede links
- onsemi N-Kanal 276 A 60 V Forbedring SO-8FL, NTMFS
- onsemi N-Kanal 323 A 40 V Forbedring SO-8FL, NTMFS
- onsemi N-Kanal 273 A 40 V Forbedring SO-8FL, NTMFS
- onsemi N-Kanal 78 A 30 V Forbedring SO-8FL, NTMFS
- onsemi N-Kanal 201 A 80 V Forbedring SO-8FL, NTMFS
- onsemi Type P-Kanal 164 A 30 V Forbedring SO-8FL, NTMFS
- onsemi N-Kanal 89 A 60 V Forbedring SO-8FL, NTMFS5C646NL
- onsemi N-Kanal 69 A 30 V Forbedring SO-8FL, NTMFS4C06N