ROHM 2 Type N-Kanal, MOSFET 100 V Forbedring, 8 Ben, HUML2020L8, UT6

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold 100 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*

Kr. 209,40

(ekskl. moms)

Kr. 261,80

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2.725 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
100 - 225Kr. 2,094
250 - 475Kr. 1,939
500 - 975Kr. 1,783
1000 +Kr. 1,72

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
264-564P
Producentens varenummer:
UT6KE5TCR
Brand:
ROHM
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

ROHM

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

HUML2020L8

Serie

UT6

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

207mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

2W

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

2.8nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

ROHM 100V 2.0A dual N-channel power MOSFET i en DFN2020-8D-pakke har lav on-modstand, hvilket gør den ideel til switching-applikationer og DC/DC-omformere. Den integrerer to 100V MOSFET'er i et kompakt overflademonteret design.

Lav modstand ved tændt

Lille overflademonteret pakke

Pb-fri plettering og RoHS-kompatibel

Halogenfri

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.