ROHM 2 N-Kanal, MOSFET, 2 A 100 V Forbedring, 8 Ben, HUML2020L8, UT6
- RS-varenummer:
- 264-564P
- Producentens varenummer:
- UT6KE5TCR
- Brand:
- ROHM
Få rabat ved storkøb
Tilføj 250 flere for at gemme Kr. 38,75
Se mængderabatterIndhold 100 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 209,40
(ekskl. moms)
Kr. 261,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 2.725 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 100 - 225 | Kr. 2,094 | - |
| 250 - 475 | Kr. 1,939 | Kr. 38,75 |
| 500 - 975 | Kr. 1,783 | Kr. 155,50 |
| 1000 + | Kr. 1,72 | Kr. 374,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 264-564P
- Producentens varenummer:
- UT6KE5TCR
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | HUML2020L8 | |
| Serie | UT6 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 207mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 2.8nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype HUML2020L8 | ||
Serie UT6 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 207mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 2.8nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ROHM 100V 2.0A dual N-channel power MOSFET i en DFN2020-8D-pakke har lav on-modstand, hvilket gør den ideel til switching-applikationer og DC/DC-omformere. Den integrerer to 100V MOSFET'er i et kompakt overflademonteret design.
Lav modstand ved tændt
Lille overflademonteret pakke
Pb-fri plettering og RoHS-kompatibel
Halogenfri