ROHM Type N-Kanal, MOSFET 60 V Forbedring, 8 Ben, HSMT-8, RQ3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold 100 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*

Kr. 362,00

(ekskl. moms)

Kr. 452,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Ordrer under Kr. 500,00 (ekskl. moms) koster Kr. 99,00.
På lager
  • Plus 100 enhed(er) afsendes fra 04. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
100 - 240Kr. 3,62
250 - 490Kr. 3,359
500 - 990Kr. 3,089
1000 +Kr. 2,97

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
264-578P
Producentens varenummer:
RQ3L060BGTB1
Fabrikant:
ROHM
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

ROHM

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

RQ3

Emballagetype

HSMT-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

38mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

±20 V

Effektafsættelse maks. Pd

14W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

5.5nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

ROHM N-kanal 60V 15,5A power MOSFET i en HSMT8-pakke har lav on-modstand og et højeffektdesign, hvilket gør den ideel til switching, motordrev og DC- eller DC-konverterapplikationer.

Lav modstand ved tændt

HSMT8 er en lille pakke med høj effekt

Pb-fri plettering og RoHS-kompatibel

Halogenfri

100 % Rg- og UIS-testet