ROHM 2 N-Kanal, MOSFET, 23 A 60 V Forbedring, 8 Ben, HSOP-8, HP8
- RS-varenummer:
- 264-757P
- Producentens varenummer:
- HP8KC6TB1
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 707,60
(ekskl. moms)
Kr. 884,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 100 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 50 - 95 | Kr. 14,152 |
| 100 - 495 | Kr. 13,12 |
| 500 - 995 | Kr. 12,088 |
| 1000 + | Kr. 11,608 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 264-757P
- Producentens varenummer:
- HP8KC6TB1
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 23A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | HSOP-8 | |
| Serie | HP8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 27mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 21W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 7.6nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 23A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype HSOP-8 | ||
Serie HP8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 27mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 21W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 7.6nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ROHM 60V 23A Dual Nch+Nch er en MOSFET med lav on-modstand, der er ideel til switching-applikationer.
Lille overflademonteret pakke (HSOP8)
Pb-fri blybelægning og RoHS-kompatibel
Halogenfri