ROHM 2 Type N-Kanal, MOSFET 60 V Forbedring, 8 Ben, HSOP-8, HP8

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*

Kr. 707,60

(ekskl. moms)

Kr. 884,50

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 100 enhed(er) afsendes fra 24. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
50 - 95Kr. 14,152
100 - 495Kr. 13,12
500 - 995Kr. 12,088
1000 +Kr. 11,608

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
264-757P
Producentens varenummer:
HP8KC6TB1
Brand:
ROHM
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

ROHM

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

HSOP-8

Serie

HP8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

27mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

21W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

7.6nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

ROHM 60V 23A Dual Nch+Nch er en MOSFET med lav on-modstand, der er ideel til switching-applikationer.

Lille overflademonteret pakke (HSOP8)

Pb-fri blybelægning og RoHS-kompatibel

Halogenfri

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.