ROHM 2 Type N-Kanal, MOSFET, 10 A 60 V Forbedring, 8 Ben, HSMT-8, HP8
- RS-varenummer:
- 264-764P
- Producentens varenummer:
- HT8KC5TB1
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 100 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 377,70
(ekskl. moms)
Kr. 472,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 100 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 100 - 240 | Kr. 3,777 |
| 250 - 490 | Kr. 3,493 |
| 500 - 990 | Kr. 3,216 |
| 1000 + | Kr. 3,097 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 264-764P
- Producentens varenummer:
- HT8KC5TB1
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 10A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | HP8 | |
| Emballagetype | HSMT-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 90mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 13W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 3.1nC | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 10A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie HP8 | ||
Emballagetype HSMT-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 90mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 13W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 3.1nC | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ROHM 60V 10A Dual Nch+Pch er en MOSFET med lav on-modstand, der er ideel til switching-applikationer.
Lille støbeformspakke med høj effekt (HSMT8)
Pb-fri blybelægning og RoHS-kompatibel
Halogenfri