ROHM 2 N-Kanal, MOSFET, 7 A 100 V Forbedring, 8 Ben, HSMT-8, HT8K
- RS-varenummer:
- 264-874P
- Producentens varenummer:
- HT8KE5TB1
- Brand:
- ROHM
Få rabat ved storkøb
Tilføj 250 flere for at gemme Kr. 71,00
Se mængderabatterIndhold 100 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 371,00
(ekskl. moms)
Kr. 464,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 100 enhed(er) afsendes fra 11. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 100 - 240 | Kr. 3,71 | - |
| 250 - 490 | Kr. 3,426 | Kr. 71,00 |
| 500 - 990 | Kr. 3,157 | Kr. 276,50 |
| 1000 + | Kr. 3,044 | Kr. 666,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 264-874P
- Producentens varenummer:
- HT8KE5TB1
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 7A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | HT8K | |
| Emballagetype | HSMT-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 193mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 13W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 2.9nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 7A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie HT8K | ||
Emballagetype HSMT-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 193mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 13W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 2.9nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ROHM power MOSFET har en dobbelt N-kanal konfiguration med en spænding på 100V og en strømkapacitet på 7A. Designet i en HSOP8-pakke og med lav on-modstand.
Lav modstand ved tændt
Lille overflademonteret pakke (HSOP8)
Pb-fri blybelægning og RoHS-kompatibel
Halogenfri