ROHM 2 Type N-Kanal, MOSFET, 7 A 100 V Forbedring, 8 Ben, HSMT-8, HT8K

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold 100 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*

Kr. 371,00

(ekskl. moms)

Kr. 464,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 100 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
100 - 240Kr. 3,71
250 - 490Kr. 3,426
500 - 990Kr. 3,157
1000 +Kr. 3,044

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
264-874P
Producentens varenummer:
HT8KE5TB1
Brand:
ROHM
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

ROHM

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

7A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

HSMT-8

Serie

HT8K

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

193mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

2.9nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Portkildespænding maks.

20V

Effektafsættelse maks. Pd

13W

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

ROHM power MOSFET har en dobbelt N-kanal konfiguration med en spænding på 100V og en strømkapacitet på 7A. Designet i en HSOP8-pakke og med lav on-modstand.

Lav modstand ved tændt

Lille overflademonteret pakke (HSOP8)

Pb-fri blybelægning og RoHS-kompatibel

Halogenfri

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.