ROHM 1 Type N-Kanal, MOSFET, 80 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-263AB, RJ1
- RS-varenummer:
- 264-883P
- Producentens varenummer:
- RJ1P04BBHTL1
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 712,80
(ekskl. moms)
Kr. 891,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 100 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 50 - 95 | Kr. 14,256 |
| 100 - 495 | Kr. 13,21 |
| 500 - 995 | Kr. 12,178 |
| 1000 + | Kr. 11,698 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 264-883P
- Producentens varenummer:
- RJ1P04BBHTL1
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 80A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | RJ1 | |
| Emballagetype | TO-263AB | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 8.8mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 89W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 38.0nC | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 80A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie RJ1 | ||
Emballagetype TO-263AB | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 8.8mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 89W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 38.0nC | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
ROHM Nch 100V 80A TO-263AB power MOSFET med lav on-modstand og høj effekt, lille støbeformspakke, velegnet til at skifte.
Lav modstand ved tændt
Lille støbeformspakke med høj effekt (TO263AB)
Pb-fri plettering og RoHS-kompatibel
100% UIS-testet