ROHM 1 Type P-Kanal, MOSFET, 15 A 40 V Udtømning, 8 Ben, HSMT-8, HT8KB6
- RS-varenummer:
- 265-123P
- Producentens varenummer:
- HT8KB6TB1
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 100 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 501,20
(ekskl. moms)
Kr. 626,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 100 enhed(er) afsendes fra 24. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 100 - 240 | Kr. 5,012 |
| 250 - 490 | Kr. 4,638 |
| 500 - 990 | Kr. 4,271 |
| 1000 + | Kr. 4,114 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 265-123P
- Producentens varenummer:
- HT8KB6TB1
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 15A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | HSMT-8 | |
| Serie | HT8KB6 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 17.2mΩ | |
| Kanalform | Udtømning | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 10.6nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 14W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 15A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype HSMT-8 | ||
Serie HT8KB6 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 17.2mΩ | ||
Kanalform Udtømning | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 10.6nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 14W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ROHM MOSFET er designet til krævende applikationer, der kræver exceptionel effektivitet og pålidelighed. Produktets robuste design med lav on-modstand og høj effektkapacitet gør det til et ideelt valg til motordrev og andre strømstyringsbehov. Den skiller sig ud med sin kompakte HSMT8-emballage, der sikrer nem integration i forskellige elektroniske systemer.
Halogenfrit design understøtter overholdelse af globale miljøstandarder
Garanteret 100 % Rg- og UIS-test for øget pålidelighed
Bredt temperaturområde for driftsforbindelsen giver mulighed for alsidige anvendelser
Høj pulsstrømskapacitet understøtter krævende driftsprofiler