ROHM Type N-Kanal, MOSFET, 10 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, R60
- RS-varenummer:
- 265-284P
- Producentens varenummer:
- R6010YND3TL1
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 100 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 799,60
(ekskl. moms)
Kr. 999,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 100 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 100 - 240 | Kr. 7,996 |
| 250 - 490 | Kr. 7,405 |
| 500 - 990 | Kr. 6,814 |
| 1000 + | Kr. 6,56 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 265-284P
- Producentens varenummer:
- R6010YND3TL1
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 10A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | R60 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 390mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 15nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 92W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 10A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie R60 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 390mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 15nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 92W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ROHM Power MOSFET har lav tændingsmodstand og hurtige skiftefunktioner, hvilket gør den ideel til forskellige skifteapplikationer. Den lave tændingsmodstand øger effektiviteten ved at minimere strømtab, mens den hurtige skiftehastighed giver mulighed for hurtige reaktionstider i dynamiske miljøer. Denne kombination af egenskaber sikrer pålidelig ydeevne i krævende applikationer, som f.eks. strømstyring og motorstyring.
Drivkredsløb kan være enkle
Pb-fri blybelægning
RoHS-overensstemmende
Halogenfri