ROHM 1 Type N-Kanal, MOSFET, 125 A 30 V Forbedring, 8 Ben, HSMT-8, R65
- RS-varenummer:
- 265-310P
- Producentens varenummer:
- RH6E040BGTB1
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Indhold 100 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 607,40
(ekskl. moms)
Kr. 759,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 100 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 100 - 240 | Kr. 6,074 |
| 250 - 490 | Kr. 5,625 |
| 500 - 990 | Kr. 5,191 |
| 1000 + | Kr. 4,989 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 265-310P
- Producentens varenummer:
- RH6E040BGTB1
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 125A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | HSMT-8 | |
| Serie | R65 | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.9mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 30.0nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 78W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 125A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype HSMT-8 | ||
Serie R65 | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.9mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 30.0nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 78W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
ROHM Power MOSFET har lav modstand ved tænding og er indkapslet i et kompakt, højtydende lille støbehus. Den er velegnet til en lang række anvendelser, herunder omskiftning, motordrev og DC/DC-konvertere, hvilket giver effektiv ydeevne i miljøer med begrænset plads.
Pb-fri belægning
I overensstemmelse med RoHS
Højtydende lille støbehus
Lav modstand ved tændt
100 procent Rg og UIS-testet