Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 89 A 150 V Forbedring, 8 Ben, PG-WSON-8, OptiMOS
- RS-varenummer:
- 284-645P
- Producentens varenummer:
- BSC093N15NS5SCATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 20 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 421,10
(ekskl. moms)
Kr. 526,38
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 17. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 20 - 198 | Kr. 21,055 |
| 200 - 998 | Kr. 19,375 |
| 1000 - 1998 | Kr. 17,99 |
| 2000 + | Kr. 16,155 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 284-645P
- Producentens varenummer:
- BSC093N15NS5SCATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 89A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Emballagetype | PG-WSON-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 9.3mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 167W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 89A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Serie OptiMOS | ||
Emballagetype PG-WSON-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 9.3mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 167W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
Infineon OptiMOS Power MOSFET er en højtydende N-kanal MOSFET designet til krævende applikationer, der kræver optimal effektivitet. Med en driftsspænding på op til 150 V og fremragende termisk ydeevne. Den er konstrueret med dobbeltsidet køleteknologi, der giver enestående termisk modstand og dermed sikrer pålidelig drift selv under udfordrende forhold. Integrationen af innovative designelementer reducerer modstanden og forbedrer den samlede effektivitet af strømstyringssystemer. Den robuste konstruktion er ideel til industrielle anvendelser og garanterer lang levetid og pålidelig ydeevne.
Dobbelt sidekølet pakke til termisk styring
Fremragende strømeffektivitet til højfrekvent brug
Bredt driftstemperaturområde for pålidelighed
Lav modstand forbedrer energieffektiviteten
Hurtige skiftehastigheder til avancerede strømforsyninger
Kvalificeret til JEDEC-standarder for industrien