Infineon N-Kanal, MOSFET, 30 A. 600 V, 22 ben, PG-HDSOP-22, 600V CoolMOS IPDQ60R017S7XTMA1

Se alle MOSFET
Ikke tilgængelig
RS lagerfører ikke længere dette produkt
RS-varenummer:
284-736
Producentens varenummer:
IPDQ60R017S7XTMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks.

30 A.

Drain source spænding maks.

600 V

Kapslingstype

PG-HDSOP-22

Serie

600V CoolMOS

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

22

Kanalform

Enhancement

Antal elementer per chip

1

Transistormateriale

SiC

Infineons MOSFET har en ny æra inden for højspændings-switching-løsninger. Den er designet som en statisk kontakt med super junction-teknologi og leverer optimal ydelse, samtidig med at den er kompakt. Med en mærkespænding på 600 V sikrer den pålidelig drift i krævende applikationer som f.eks. afbrydere og højstrømskonfigurationer. S7A-serien forbedrer med sit avancerede design effektiviteten og den termiske ydeevne, hvilket gør den ideel til brug i design med termisk styring. Kelvin Source-stiften forbedrer koblingsadfærden betydeligt, hvilket sikrer minimal ringning og maksimal stabilitet. Med dokumenteret AEC Q101-kvalifikation er dette produkt præcist konstrueret til sikkerhed og ydeevne, hvilket gør det til et foretrukket valg for ingeniører, der søger robuste løsninger til applikationer med høj effekt.

Optimeret til applikationer med lav skiftefrekvens
Overlegen termisk ydeevne i højstrømskonstruktioner
Overgang til MOSFET'er forbedrer systemets effektivitet
Overensstemmelse med MSL1 for nem integration
Avanceret S7A-teknologi giver kompakt modstand
Robust design understøtter højfrekvent drift

Relaterede links