Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 60 A 2000 V Forbedring, 4 Ben, PG-TO-247-4-PLUS-NT14, CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET
- RS-varenummer:
- 284-861P
- Producentens varenummer:
- IMYH200R012M1HXKSA1
- Brand:
- Infineon
Indhold 1 enhed (leveres i et rør)*
Kr. 536,62
(ekskl. moms)
Kr. 670,78
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 16. august 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 + | Kr. 536,62 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 284-861P
- Producentens varenummer:
- IMYH200R012M1HXKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 60A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 2000V | |
| Serie | CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET | |
| Emballagetype | PG-TO-247-4-PLUS-NT14 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 4 | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 60A | ||
Drain source spænding maks. Vds 2000V | ||
Serie CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET | ||
Emballagetype PG-TO-247-4-PLUS-NT14 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 4 | ||
Kanalform Forbedring | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET skiller sig ud som en højtydende komponent, der er designet til krævende applikationer. Med udnyttelse af avanceret siliciumkarbidteknologi giver den fremragende effektivitet og termisk ydeevne, hvilket gør den velegnet til brug i moderne strømforsyningssystemer. Med en robust struktur og innovative funktioner sikrer denne enhed pålidelighed på tværs af forskellige applikationer, herunder strenginvertere, optimering af solenergi og opladning af elbiler. Den omhyggeligt udviklede MOSFET er optimalt egnet til højspændingsmiljøer og giver overlegne driftsfordele til både industriel og kommerciel brug. Dens avancerede sammenkoblingsteknologi bidrager yderligere til dens prestigefyldte ry på markedet, hvilket muliggør forlænget enhedens levetid og forbedrede strømstyringsfunktioner.
Leverer lave koblingstab for effektivitet
Robust kropsdiode til hård kommutering
Benchmark gate-tærskelspænding for kontrol
Meget lav on state-modstand for ledningsevne
Høj termisk modstand minimerer overophedning
Velegnet til højspænding op til 2000 V