Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 50 A 600 V Forbedring, 22 Ben, PG-HDSOP-22, 600V CoolMOS Nej IPQC60R010S7XTMA1
- RS-varenummer:
- 284-890
- Producentens varenummer:
- IPQC60R010S7XTMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 750 enheder)*
Kr. 121.045,50
(ekskl. moms)
Kr. 151.306,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 08. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 750 + | Kr. 161,394 | Kr. 121.045,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 284-890
- Producentens varenummer:
- IPQC60R010S7XTMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 50A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | PG-HDSOP-22 | |
| Serie | 600V CoolMOS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 22 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 10mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 694W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 318nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.82V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, JEDEC for Industrial Applications | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 50A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype PG-HDSOP-22 | ||
Serie 600V CoolMOS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 22 | ||
Drain source modstand maks. Rds 10mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 694W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 318nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.82V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS, JEDEC for Industrial Applications | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET med banebrydende 600 V CoolMOS SJ S7 strømforsyning repræsenterer et bemærkelsesværdigt spring i MOSFET-teknologi, specielt skræddersyet til lavfrekvente switching-anvendelser. Denne enhed er konstrueret med den største præcision og giver uovertruffen energieffektivitet, hvilket gør den til et ideelt valg til halvlederrelæer, afbrydere og forskellige strømstyringssystemer. Det avancerede design, der viser et kompakt fodaftryk og fremragende varmeafledningskapacitet, sikrer optimal ydeevne under krævende forhold. Denne enhed er anerkendt for sine klare fordele i forhold til traditionelle elektromekaniske komponenter og integrerer problemfri omskiftning med enestående pålidelighed. Den er fuldt kvalificeret i henhold til JEDEC-standarder for industrielle anvendelser, hvilket giver sikkerhed for dens robusthed og pålidelighed i en lang række miljøer.
Optimeret til pris og ydeevne
Høj impulsstrømkapacitet for robusthed
Kelvin source pin forbedrer switching performance
Understøtter applikationer, der udsættes for stød og vibrationer
Intern diode i kroppen minimerer ledningstab
Kan rumme køling på toppen af siden for bedre termisk ydeevne
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 50 A 600 V Forbedring PG-HDSOP-22, 600V CoolMOS Nej IPQC60R010S7XTMA1
- Infineon Type N-Kanal 149 A 600 V Forbedring PG-HDSOP-22, 600V CoolMOS Nej IPDQ60R015CFD7XTMA1
- Infineon N-Kanal 68 A 600 V PG-HDSOP-22, 600V CoolMOS IPDQ60R035CFD7XTMA1
- Infineon N-Kanal 12 A 600 V PG-HDSOP-22, 600V CoolMOS IPQC60R040S7XTMA1
- Infineon N-Kanal 90 A 600 V PG-HDSOP-22, 600V CoolMOS IPDQ60R025CFD7XTMA1
- Infineon N-Kanal 30 A. 600 V PG-HDSOP-22, 600V CoolMOS IPDQ60R017S7XTMA1
- Infineon N-Kanal 112 A 600 V PG-HDSOP-22, 600V CoolMOS IPDQ60R020CFD7XTMA1
- Infineon N-Kanal 52 A 600 V PG-HDSOP-22, 600V CoolMOS IPDQ60R045CFD7XTMA1
