Infineon N-Kanal, MOSFET, 19 A 650 V, 8 ben, PG-HSOF-8, 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device IPT65R155CFD7XTMA1
- RS-varenummer:
- 284-915
- Producentens varenummer:
- IPT65R155CFD7XTMA1
- Brand:
- Infineon
Ikke tilgængelig
RS lagerfører ikke længere dette produkt
- RS-varenummer:
- 284-915
- Producentens varenummer:
- IPT65R155CFD7XTMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 19 A | |
| Drain source spænding maks. | 650 V | |
| Kapslingstype | PG-HSOF-8 | |
| Serie | 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 8 | |
| Kanalform | Enhancement | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Transistormateriale | SiC | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. 19 A | ||
Drain source spænding maks. 650 V | ||
Kapslingstype PG-HSOF-8 | ||
Serie 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 8 | ||
Kanalform Enhancement | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Transistormateriale SiC | ||
Infineon MOSFET er en power-enhed, der omdefinerer effektivitet og ydeevne i højspændingsapplikationer med sin avancerede coolMOS-teknologi. Den er designet specielt til resonanskoblingstopologier og har bemærkelsesværdige koblingsegenskaber, der sikrer betydelige energibesparelser og forbedret termisk styring. Det seneste tilbud udvider mulighederne i spændingsklassen og fungerer som en værdig efterfølger til tidligere modeller. Dens ultrahurtige kropsdiode kombineret med overlegen robusthed ved hård kommutation gør denne enhed til det optimale valg til strenge industrielle krav, især inden for sektorer som telekommunikation og opladning af elbiler.
Ultrahurtig kropsdiode øger driftseffektiviteten
Høj nedbrydningsspænding giver ekstra sikkerhed
Klassens bedste RDS(on) sænker ledningstabet
Enestående ydeevne ved let belastning forbedrer effektiviteten
Optimeret til server- og solcelleapplikationer
Høj nedbrydningsspænding giver ekstra sikkerhed
Klassens bedste RDS(on) sænker ledningstabet
Enestående ydeevne ved let belastning forbedrer effektiviteten
Optimeret til server- og solcelleapplikationer
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 19 A 650 V PG-HSOF-8, 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device IPT65R155CFD7XTMA1
- Infineon N-Kanal 34 A 650 V PG-HSOF-8, 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device IPT65R080CFD7XTMA1
- Infineon N-Kanal 28 A 650 V PG-HSOF-8, 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device IPT65R099CFD7XTMA1
- Infineon N-Kanal 16 A. 650 V PG-HSOF-8, 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device IPT65R190CFD7XTMA1
- Infineon N-Kanal 23 A 650 V PG-HSOF-8, 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device IPT65R125CFD7XTMA1
- Infineon N-Kanal 43 A 650 V PG-HSOF-8, 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device IPT65R060CFD7XTMA1
- Infineon Type N-Kanal 63 A 650 V Forbedring PG-HSOF-8, 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device
- Infineon Type N-Kanal 23 A 600 V Forbedring HSOF, 600V CoolMOS G7 SJ Nej
