onsemi N-Kanal, MOSFET, 50 A 650 V N, 4 Ben, TO-247-4L, NVH AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 327-808
- Producentens varenummer:
- NVH4L032N065M3S
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 80,73
(ekskl. moms)
Kr. 100,91
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 444 enhed(er) afsendes fra 05. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 80,73 |
| 10 - 99 | Kr. 72,66 |
| 100 - 499 | Kr. 67,09 |
| 500 - 999 | Kr. 62,16 |
| 1000 + | Kr. 50,54 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 327-808
- Producentens varenummer:
- NVH4L032N065M3S
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 50A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | NVH | |
| Emballagetype | TO-247-4L | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 44mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 4.5V | |
| Portkildespænding maks. | 22V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 55nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 187W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | Pb-Free, RoHS 7a | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 50A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie NVH | ||
Emballagetype TO-247-4L | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 44mΩ | ||
Kanalform N | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 4.5V | ||
Portkildespænding maks. 22V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 55nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 187W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser Pb-Free, RoHS 7a | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
ON Semiconductor Silicon Carbide (SiC) MOSFET, EliteSiC, er en 650 V, 32 mΩ enhed i M3S TO-247-4L-pakken. Den er udviklet til højtydende strømapplikationer med lav on-modstand og fremragende switching-egenskaber. Denne enhed er ideel til brug i højeffektive strømkonverteringssystemer, herunder applikationer til biler, industri og vedvarende energi.
Enhederne er Pb-fri og RoHS-kompatible
Kvalificeret til bilindustrien i henhold til AEC Q101