onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 17.3 A 1200 V Forbedring, 4 Ben, TO-247, NVH AEC-Q101 NVH4L160N120SC1
- RS-varenummer:
- 202-5743
- Producentens varenummer:
- NVH4L160N120SC1
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 286,11
(ekskl. moms)
Kr. 357,64
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 19. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 57,222 | Kr. 286,11 |
| 50 + | Kr. 49,338 | Kr. 246,69 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 202-5743
- Producentens varenummer:
- NVH4L160N120SC1
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 17.3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Serie | NVH | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 160mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 34nC | |
| Portkildespænding maks. | 25 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 111W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 4V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101 and PPAP Capable | |
| Højde | 22.74mm | |
| Bredde | 5.2 mm | |
| Længde | 15.8mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 17.3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Serie NVH | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 160mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 34nC | ||
Portkildespænding maks. 25 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 111W | ||
Gennemgangsspænding Vf 4V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101 and PPAP Capable | ||
Højde 22.74mm | ||
Bredde 5.2 mm | ||
Længde 15.8mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Siliciumkarbid (SiC) MOSFET, N-kanal - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, TO247−4L
ON Semiconductor siliciumkarbid Power MOSFET kører med 17,3 ampere og 1200 volt. Den kan bruges i biler med indbygget oplader, DC- eller DC-konverter.
AEC Q101 kvalificeret
100 % avalanche-testet
Lav effektiv udgangskapacitet
I overensstemmelse med RoHS
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 17.3 A 1200 V Forbedring TO-247, NVH AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 60 A 1200 V Forbedring TO-247, NVH AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 17 A 1200 V Forbedring TO-247, NVH AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 29 A 1200 V Forbedring TO-247, NVH AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 17 A 1200 V Forbedring TO-247, NVH AEC-Q101 NVHL160N120SC1
- onsemi Type N-Kanal 60 A 1200 V Forbedring TO-247, NVH AEC-Q101 NVHL040N120SC1
- onsemi Type N-Kanal 29 A 1200 V Forbedring TO-247, NVH AEC-Q101 NVH4L080N120SC1
- onsemi Type N-Kanal 58 A 1200 V Forbedring TO-247, NVH Nej