onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 17.3 A 1200 V Forbedring, 4 Ben, TO-247, NTH Nej NTH4L160N120SC1

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 50,69

(ekskl. moms)

Kr. 63,362

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 430 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 +Kr. 25,345Kr. 50,69

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
202-5703
Producentens varenummer:
NTH4L160N120SC1
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

17.3A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Emballagetype

TO-247

Serie

NTH

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

224mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

34nC

Effektafsættelse maks. Pd

111W

Portkildespænding maks.

25 V

Gennemgangsspænding Vf

4V

Driftstemperatur maks.

175°C

Bredde

5.2 mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Længde

18.62mm

Højde

22.74mm

Bilindustristandarder

Nej

Siliciumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L siliciumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L


ON Semiconductor siliciumkarbid Power MOSFET kører med 17,3 ampere og 1200 volt. Den kan bruges i nødstrømsforsyning, DC/DC-konverter, boostinverter.

160 mA O dræn til kilde på modstand

Ultralav gate-opladning

100 % avalanche-testet

Blyfri

I overensstemmelse med RoHS

Relaterede links