onsemi N-Kanal, MOSFET, 151 A 1200 V Forbedring, 4 Ben, TO-247-4L, NTH
- RS-varenummer:
- 220-567
- Producentens varenummer:
- NTH4L013N120M3S
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 1 enhed)*
Kr. 229,41
(ekskl. moms)
Kr. 286,76
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 356 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Pakke(r) | Pr pakke |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 229,41 |
| 10 - 99 | Kr. 206,45 |
| 100 + | Kr. 190,37 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 220-567
- Producentens varenummer:
- NTH4L013N120M3S
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 151A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Emballagetype | TO-247-4L | |
| Serie | NTH | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 13mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 22V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 682W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 254nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 4.7V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 5mm | |
| Længde | 16.2mm | |
| Bredde | 15.6mm | |
| Standarder/godkendelser | Halide Free and RoHS with Exemption 7a | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 151A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Emballagetype TO-247-4L | ||
Serie NTH | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 13mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 22V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 682W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 254nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 4.7V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 5mm | ||
Længde 16.2mm | ||
Bredde 15.6mm | ||
Standarder/godkendelser Halide Free and RoHS with Exemption 7a | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
ON Semiconductor MOSFETs er optimeret til applikationer med hurtig skift. Planarteknologi fungerer pålideligt med negativ gatespænding og slukker for spidser på gaten. Denne serie har optimal ydeevne, når den drives med 18 V gate-drev, men fungerer også godt med 15 V gate-drev.
Halidfri
I overensstemmelse med RoHS