onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 29 A 1200 V Forbedring, 4 Ben, TO-247, NTH Nej NTH4L080N120SC1

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 95,38

(ekskl. moms)

Kr. 119,22

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 446 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 +Kr. 47,69Kr. 95,38

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
202-5701
Producentens varenummer:
NTH4L080N120SC1
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

29A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Serie

NTH

Emballagetype

TO-247

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

110mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

56nC

Effektafsættelse maks. Pd

170W

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

25 V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Højde

22.74mm

Bredde

5.2 mm

Længde

15.2mm

Bilindustristandarder

Nej

Siliciumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L siliciumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L


ON Semiconductor siliciumkarbid Power MOSFET kører med 29 ampere og 1200 volt. Den kan bruges i nødstrømsforsyning, boostinverter, industrielt motordrev, PV lader.

110 MB dræn til kilde på modstand

Ultralav gate-opladning

100 % avalanche-testet

Blyfri

I overensstemmelse med RoHS

Relaterede links