onsemi N-Kanal, MOSFET, 29 A 1200 V Forbedring, 4 Ben, TO-247, NTH
- RS-varenummer:
- 202-5701
- Producentens varenummer:
- NTH4L080N120SC1
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (2 enheder, i en pakke med 2)*
Kr. 176,08
(ekskl. moms)
Kr. 220,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 438 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 88,04 | Kr. 176,08 |
| 20 - 198 | Kr. 75,885 | Kr. 151,77 |
| 200 + | Kr. 65,90 | Kr. 131,80 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 202-5701
- Producentens varenummer:
- NTH4L080N120SC1
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 29A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Serie | NTH | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 110mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 25V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 170W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 56nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 22.74mm | |
| Længde | 15.2mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bredde | 5.2mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 29A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Serie NTH | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 110mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 25V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 170W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 56nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 22.74mm | ||
Længde 15.2mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bredde 5.2mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Siliciumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L siliciumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L
ON Semiconductor siliciumkarbid Power MOSFET kører med 29 ampere og 1200 volt. Den kan bruges i nødstrømsforsyning, boostinverter, industrielt motordrev, PV lader.
110 MB dræn til kilde på modstand
Ultralav gate-opladning
100 % avalanche-testet
Blyfri
I overensstemmelse med RoHS