onsemi N-Kanal, MOSFET, 58 A 1200 V Forbedring, 7 Ben, TO-247, NTH AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 254-7671
- Producentens varenummer:
- NTH4L075N065SC1
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 450 enheder)*
Kr. 20.452,95
(ekskl. moms)
Kr. 25.566,30
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 17. august 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 450 - 450 | Kr. 45,451 | Kr. 20.452,95 |
| 900 - 900 | Kr. 44,542 | Kr. 20.043,90 |
| 1350 + | Kr. 43,651 | Kr. 19.642,95 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 254-7671
- Producentens varenummer:
- NTH4L075N065SC1
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 58A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Serie | NTH | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 22mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 117W | |
| Portkildespænding maks. | 22V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 61nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 4.5V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | Pb-Free 2LI, RoHS with exemption 7a | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 58A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Serie NTH | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 22mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 117W | ||
Portkildespænding maks. 22V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 61nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 4.5V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser Pb-Free 2LI, RoHS with exemption 7a | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Siliciumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 57 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L siliciumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 57 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L
ON Semiconductor NTH serien af en siliciumkarbid mosfet bruger en helt ny teknologi, der giver fremragende skifteydelse og højere pålidelighed sammenlignet med silicium. Desuden med lav modstand ved tænding og kompakt chipstørrelse. Det sikrer en lav kapacitet og gate-opladning. Derfor omfatter systemfordelene højeste effektivitet, hurtigere driftsfrekvens, øget effekttæthed, reduceret EMI og reduceret systemstørrelse.
Bruges i telekommunikation Høj pålidelighed ved høje omgivende temperaturer Høj hastighed skifte og lav kapacitet