onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 29 A 1200 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, NTH Nej NTHL160N120SC1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 94,55

(ekskl. moms)

Kr. 118,188

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 8 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
  • Plus 304 enhed(er) afsendes fra 08. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 47,275Kr. 94,55
20 - 198Kr. 40,765Kr. 81,53
200 +Kr. 35,305Kr. 70,61

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
202-5707
Producentens varenummer:
NTHL160N120SC1
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

29A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Emballagetype

TO-247

Serie

NTH

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

110mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

34nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

25 V

Effektafsættelse maks. Pd

119W

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Længde

15.87mm

Bredde

4.82 mm

Højde

20.82mm

Bilindustristandarder

Nej

Siliciumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L siliciumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L


ON Semiconductor siliciumkarbid Power MOSFET kører med 17 ampere og 1200 volt. Den kan bruges i nødstrømsforsyning, DC/DC-konverter, boostinverter.

160 mA O dræn til kilde på modstand

Ultralav gate-opladning

100 % avalanche-testet

Blyfri

I overensstemmelse med RoHS

Relaterede links