onsemi N-Kanal, MOSFET, 29 A 1200 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, NTH
- RS-varenummer:
- 202-5707
- Producentens varenummer:
- NTHL160N120SC1
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (2 enheder, i en pakke med 2)*
Kr. 98,81
(ekskl. moms)
Kr. 123,51
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 16 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 280 enhed(er) afsendes fra 02. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 49,405 | Kr. 98,81 |
| 20 - 198 | Kr. 42,60 | Kr. 85,20 |
| 200 + | Kr. 36,95 | Kr. 73,90 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 202-5707
- Producentens varenummer:
- NTHL160N120SC1
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 29A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Serie | NTH | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 110mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 34nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 119W | |
| Portkildespænding maks. | 25V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 4.82mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Højde | 20.82mm | |
| Længde | 15.87mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 29A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Serie NTH | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 110mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 34nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 119W | ||
Portkildespænding maks. 25V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 4.82mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Højde 20.82mm | ||
Længde 15.87mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Siliciumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L siliciumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L
ON Semiconductor siliciumkarbid Power MOSFET kører med 17 ampere og 1200 volt. Den kan bruges i nødstrømsforsyning, DC/DC-konverter, boostinverter.
160 mA O dræn til kilde på modstand
Ultralav gate-opladning
100 % avalanche-testet
Blyfri
I overensstemmelse med RoHS