onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 140 A 750 V Forbedring, 7 Ben, TO-247-4L, NTH Nej NTH4L018N075SC1
- RS-varenummer:
- 277-041
- Producentens varenummer:
- NTH4L018N075SC1
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 160,67
(ekskl. moms)
Kr. 200,84
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 11. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 160,67 |
| 10 - 99 | Kr. 144,59 |
| 100 + | Kr. 133,37 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 277-041
- Producentens varenummer:
- NTH4L018N075SC1
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 140A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 750V | |
| Serie | NTH | |
| Emballagetype | TO-247-4L | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 13.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 22 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 500W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 4.5V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 262nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 140A | ||
Drain source spænding maks. Vds 750V | ||
Serie NTH | ||
Emballagetype TO-247-4L | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 13.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 22 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 500W | ||
Gennemgangsspænding Vf 4.5V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 262nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
ON Semiconductor SiC MOSFET bruger en helt ny teknologi, der giver overlegen koblingsydelse og højere pålidelighed sammenlignet med silicium. Derudover sikrer den lave ON-modstand og den kompakte chipstørrelse lav kapacitans og gate-ladning. Derfor omfatter systemfordelene højeste effektivitet, hurtigere driftsfrekvens, øget effekttæthed, reduceret EMI og reduceret systemstørrelse.
Ultra lav gate-ladning
Højhastighedsskift med lav kapacitans
100% lavine testet
Enheden er halidfri og RoHS-kompatibel
Relaterede links
- onsemi N-Kanal 67 A 650 V TO-247-4L, NTH NTH4L023N065M3S
- onsemi N-Kanal 51 A 650 V TO-247-4L, NTH NTHL032N065M3S
- onsemi N-Kanal 50 A 650 V TO-247-4L, NTH NTH4L032N065M3S
- ROHM N-Kanal 56 A 750 V, TO-247-4L SCT4026DRHRC15
- ROHM N-Kanal 34 A 750 V, TO-247-4L SCT4045DRHRC15
- onsemi N-Kanal 29 A 1200 V TO-247, NTH NTHL160N120SC1
- onsemi N-Kanal 70 A 650 V TO-247-3L, NTH NTHL023N065M3S
- onsemi N-Kanal 60 A 1200 V TO-247-4, NTH NTHL040N120SC1
