STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 7 A 800 V, 3 Ben, TO-220FP, STF
- RS-varenummer:
- 330-462
- Producentens varenummer:
- STF80N600K6
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 644,65
(ekskl. moms)
Kr. 805,80
(inkl. moms)
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | Kr. 12,893 | Kr. 644,65 |
| 500 + | Kr. 12,246 | Kr. 612,30 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 330-462
- Producentens varenummer:
- STF80N600K6
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 7A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Emballagetype | TO-220FP | |
| Serie | STF | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 600mΩ | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 23W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 10.7nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 30.6mm | |
| Højde | 4.6mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 7A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Emballagetype TO-220FP | ||
Serie STF | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 600mΩ | ||
Effektafsættelse maks. Pd 23W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 10.7nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 30.6mm | ||
Højde 4.6mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
RoHS Status: Undtaget
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics højspændings N-kanal Power MOSFET er designet ved hjælp af den ultimative MDmesh K6-teknologi baseret på 20 års STMicroelectronics-erfaring med super junction-teknologi. Resultatet er den bedste modstand ved tænding pr. område og gate-opladning til anvendelser, der kræver fremragende effekttæthed og høj effektivitet.
Ultra lav gate-ladning
Zener-beskyttet